公开(公告)号：CN115116830A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210222867.6

申请日：2022-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下敦 ,  香川兴司

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括准备工序、掩模去除工序和干燥工序。准备工序准备基片，其中，在该基片的层叠膜上形成有作为掩模的氧化锆膜，并且进而被干蚀刻成了规定形状。掩模去除工序在准备工序之后对基片供给以硫酸为主成分的掩模去除液，去除氧化锆膜。干燥工序在掩模去除工序之后，使被冲洗液润湿了的基片的表面干燥。根据本发明，能够将作为掩模来使用的氧化锆膜从基片上良好地去除。

公开(公告)号：CN115349163B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202180025344.6

申请日：2021-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本谅 ,  藤本诚也 ,  水野刚资 ,  竹口博史 ,  薮田贵士 ,  山下敦 ,  池田义谦 ,  冈本英一郎 ,  五月女竜太

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。

公开(公告)号：CN115349163A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202180025344.6

申请日：2021-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本谅 ,  藤本诚也 ,  水野刚资 ,  竹口博史 ,  薮田贵士 ,  山下敦 ,  池田义谦 ,  冈本英一郎 ,  五月女竜太

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。