公开(公告)号：CN115349163B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202180025344.6

申请日：2021-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本谅 ,  藤本诚也 ,  水野刚资 ,  竹口博史 ,  薮田贵士 ,  山下敦 ,  池田义谦 ,  冈本英一郎 ,  五月女竜太

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。

公开(公告)号：CN111446150B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202010051108.9

申请日：2020-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小杉仁 ,  梅崎翔太 ,  立花康三 ,  山本谅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B05B9/03 ,  B05B13/02

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。

公开(公告)号：CN115349163A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202180025344.6

申请日：2021-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本谅 ,  藤本诚也 ,  水野刚资 ,  竹口博史 ,  薮田贵士 ,  山下敦 ,  池田义谦 ,  冈本英一郎 ,  五月女竜太

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。

公开(公告)号：CN112585722B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201980053053.0

申请日：2019-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田义谦 ,  梅崎翔太 ,  森山茂 ,  山本谅 ,  乌野崇

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。

公开(公告)号：CN112585722A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980053053.0

申请日：2019-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田义谦 ,  梅崎翔太 ,  森山茂 ,  山本谅 ,  乌野崇

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。

公开(公告)号：CN111446150A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010051108.9

申请日：2020-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小杉仁 ,  梅崎翔太 ,  立花康三 ,  山本谅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B05B9/03 ,  B05B13/02

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。