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公开(公告)号：CN105374674B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510484856.5
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L27/11553 , H01L27/1158
Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理体的中央区域供给气体的第1供给部和用于向该中央区域的外侧的区域供给气体的第2供给部，供给含有氢气、溴化氢气体、含氟气体、烃气体、氢氟烃气体和全氟烃气体的第1处理气体，由第1供给部和第2供给部中的一者，进一步供给包含烃气体和全氟烃气体的第2处理气体，并使第1处理气体和第2处理气体激发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374756B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510484931.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]在多层膜的蚀刻中，可以抑制掩模开口的闭塞且提高形成于多层膜的空间的垂直性。[解决手段]多层膜包含交替层叠的第1膜和第2膜且第1膜和第2膜具有相互不同的介电常数。多层膜的蚀刻方法包括以下工序：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，所述被处理体具有多层膜和设置于该多层膜上的掩模；以及(b)对多层膜进行蚀刻的工序，并且在该工序中使含有氢气、氢氟烃气体、含氟气体、烃气体、三氯化硼气体和氮气的处理气体在所述处理容器内激发。
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公开(公告)号：CN106057666B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610208193.9
申请日：2016-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L27/115
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN105374674A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510484856.5
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L27/11553 , H01L27/1158 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理体的中央区域供给气体的第1供给部和用于向该中央区域的外侧的区域供给气体的第2供给部，供给含有氢气、溴化氢气体、含氟气体、烃气体、氢氟烃气体和全氟烃气体的第1处理气体，由第1供给部和第2供给部中的一者，进一步供给包含烃气体和全氟烃气体的第2处理气体，并使第1处理气体和第2处理气体激发。
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公开(公告)号：CN106057666A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610208193.9
申请日：2016-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/31144 , H01L21/67109 , H01L27/115 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN105374756A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510484931.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L27/115
Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]在多层膜的蚀刻中，可以抑制掩模开口的闭塞且提高形成于多层膜的空间的垂直性。[解决手段]多层膜包含交替层叠的第1膜和第2膜且第1膜和第2膜具有相互不同的介电常数。多层膜的蚀刻方法包括以下工序：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，所述被处理体具有多层膜和设置于该多层膜上的掩模；以及(b)对多层膜进行蚀刻的工序，并且在该工序中使含有氢气、氢氟烃气体、含氟气体、烃气体、三氯化硼气体和氮气的处理气体在所述处理容器内激发。
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