公开(公告)号：CN106057666A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610208193.9

申请日：2016-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长友优 ,  石田竜宇 ,  田村大辅 ,  小岩幸介

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN106057666B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610208193.9

申请日：2016-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长友优 ,  石田竜宇 ,  田村大辅 ,  小岩幸介

IPC: H01L21/311 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。