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公开(公告)号：CN109427576A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811019388.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，能够保护对含硅膜的蚀刻的耐性优异的掩模。一个实施方式的蚀刻方法在腔室主体内配置被加工物的状态下执行。蚀刻方法包括：在被加工物上形成钨膜的步骤；和对被加工物的含硅膜进行蚀刻的步骤。形成钨膜的步骤包括：向被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。在对含硅膜进行蚀刻的步骤中，在腔室主体内生成含氟、氢和碳的处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN105390387A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510542329.5
申请日：2015-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J2237/334 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。
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公开(公告)号：CN109494153B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201811060888.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第2区域。接着，以保留第1区域的方式执行钨膜的等离子体蚀刻。在钨膜的形成中，对被加工物提供含有钨的前体气体。并且，为了对被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105390387B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510542329.5
申请日：2015-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。
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公开(公告)号：CN106057666A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610208193.9
申请日：2016-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/31144 , H01L21/67109 , H01L27/115 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN109427576B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811019388.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，能够保护对含硅膜的蚀刻的耐性优异的掩模。一个实施方式的蚀刻方法在腔室主体内配置被加工物的状态下执行。蚀刻方法包括：在被加工物上形成钨膜的步骤；和对被加工物的含硅膜进行蚀刻的步骤。形成钨膜的步骤包括：向被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。在对含硅膜进行蚀刻的步骤中，在腔室主体内生成含氟、氢和碳的处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN106057666B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610208193.9
申请日：2016-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L27/115
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN109494153A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811060888.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第2区域。接着，以保留第1区域的方式执行钨膜的等离子体蚀刻。在钨膜的形成中，对被加工物提供含有钨的前体气体。并且，为了对被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体。
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