公开(公告)号：CN114807898A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210083799.X

申请日：2022-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 千田翔太 ,  渡边要介

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44

Abstract: 提供：即使基底不同也能孵育时间一致地沉积均匀的氮化硼膜的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。具备如下工序：向设有成膜为氮化硼膜时的孵育时间不同的基底的基板的表面供给氨基硅烷气体以形成晶种层的工序；和，使氮化硼膜在前述晶种层上沉积的工序。

公开(公告)号：CN114855150A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210102475.6

申请日：2022-01-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边要介 ,  千田翔太

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/26 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及碳膜的成膜方法和成膜装置。使用卤素作为催化剂的低温CVD碳成膜工艺中，减少卤素的影响，改善碳膜的生产率和膜质。具备如下工序：向基板供给含碳气体和卤素气体，利用化学气相沉积使碳膜沉积在基板上的工序；和，供给跟构成前述卤素气体的卤素反应的气体，使前述碳膜内所含的前述卤素减少的工序，将使前述碳膜沉积的工序和使前述卤素减少的工序作为1个循环，重复多个循环。

公开(公告)号：CN117364056A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310762987.X

申请日：2023-06-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 千田翔太 ,  渡边要介 ,  铃木启介

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种成膜方法和成膜装置，是能够在制造氮化硅膜时恰当地控制期望的金属的掺杂量的技术。成膜方法用于在基板上形成掺杂了期望的金属的氮化硅膜。该成膜方法包括以下工序：工序(a)，向收容有所述基板的处理容器的内部供给含硅气体；工序(b)，向所述处理容器的内部供给含有所述期望的金属的含金属气体；以及工序(c)，在所述工序(a)进行至少一次并且将所述工序(b)进行至少一次之后，向所述处理容器的内部供给含氮气体。