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发明公开
成膜方法及成膜装置审中-公开

公开(公告)号：CN117888192A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311286795.2

申请日：2023-10-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹泽由裕 , 金泽彻 , 渡边要介 , 宫原达也 , 田边祐希 , 铃木大介 , 渡边将久 , 铃木启介 , T·S·巴苏

IPC: C30B28/02 , C30B29/06

Abstract: 提供了一种抑制硅化镍的聚集的技术。根据本公开的一个方式的成膜方法，具有如下工序：准备表面具有非晶硅膜的基板；向所述非晶硅膜供给镍原料气体，并使镍扩散到所述非晶硅膜中；以及加热所述非晶硅膜，通过以扩散到所述非晶硅膜中的所述镍为核的金属诱导横向结晶化，使所述非晶硅膜结晶化来形成多晶硅膜。

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