公开(公告)号：CN108431929B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201680076430.9

申请日：2016-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 华莱士·P·普林茨 ,  高桥修平 ,  冈村直之 ,  山下正道 ,  德里克·W·巴塞特 ,  安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。

公开(公告)号：CN108431929A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680076430.9

申请日：2016-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 华莱士·P·普林茨 ,  高桥修平 ,  冈村直之 ,  山下正道 ,  德里克·W·巴塞特 ,  安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L22/20 ,  C09K13/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L28/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者在处理室中的环境中提供受控的氧含量以通过处理溶液实现硅的目标蚀刻选择性，或者在整个硅的层、特征或结构上的目标蚀刻均匀性，或者两者。

公开(公告)号：CN108140547A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057166.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊恩·J·布朗 ,  华莱士·P·普林茨 ,  安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗 ,  五师源太郎 ,  江头佳祐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C11D7/04 ,  C11D11/0047 ,  F26B21/14 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67028

Abstract: 用于在基底处理系统中清洗和干燥半导体基底的方法和设备，所述基底具有在所述基底上的第一清洗液体，例如水。所述方法包括将液体二氧化碳分配在基底上以置换存在于基底上的任何液体并干燥基底。所述设备包括用于清洗和干燥基底的室。

公开(公告)号：CN117501424A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280040341.4

申请日：2022-05-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 迈克尔·卡尔卡西 ,  伊赫桑·西姆斯 ,  乔尔·埃斯特雷拉 ,  安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗 ,  乔舒亚·霍格 ,  丸本洋

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种加工多个衬底的方法，该方法包括将多个衬底浸入包含在槽室中的槽液中；在该槽液中产生气泡；将来自光源的光投射向该槽室；通过用光传感器捕获在与这些气泡相互作用后从该槽室发出的光来生成光传感器数据；并将光传感器数据转换成该槽液的度量。

公开(公告)号：CN108140571B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201680057026.7

申请日：2016-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗 ,  华莱士·P·普林茨

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 一种通过动态控制选择温度下的硫酸的径向分配来控制晶片表面上的磷酸处理的温度分布的方法，所述方法包括提供基底，其具有在其上形成的层；将第一化学物质和第二化学物质分配在所述层上，同时调节第二化学物质分配的至少一个参数以改变在基底的区域上的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN108140571A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057026.7

申请日：2016-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗 ,  华莱士·P·普林茨

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26

Abstract: 一种通过动态控制选择温度下的硫酸的径向分配来控制晶片表面上的磷酸处理的温度分布的方法，所述方法包括提供基底，其具有在其上形成的层；将第一化学物质和第二化学物质分配在所述层上，同时调节第二化学物质分配的至少一个参数以改变在基底的区域上的蚀刻速率。