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公开(公告)号：CN103972132A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410035060.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C4/08 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括：腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括：形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101646803B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880009952.2
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。
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公开(公告)号：CN102112649A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129915.X
申请日：2009-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/16 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/16 , C23C16/45514 , C23C16/45521 , C23C16/45597 , C23C16/4585 , H01L21/67017 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。
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公开(公告)号：CN101802257A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106580.5
申请日：2008-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/4401 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68742
Abstract: 本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构，具备：加热板(21)，其具有被处理基板载置面(21a)，埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a)；调温套，其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的，温度为不足成膜温度的非成膜温度，具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c)；具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1)；具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。
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公开(公告)号：CN119480758A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411607236.1
申请日：2019-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972132B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410035060.7
申请日：2014-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C4/08 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，提高载置台的温度响应性。该基板处理装置包括：腔室；设置于上述腔室内，用于载置基板的载置台；施加高频电力的高频电源；和对上述腔室内供给所期望的气体的气体供给源，上述载置台包括：形成有流通冷媒的流路的第一陶瓷基材；形成在上述第一陶瓷基材的载置基板的一侧的主面和侧面的第一导电层；和层叠在上述第一导电层上，静电吸附所载置的基板的静电吸盘，上述流路的体积为上述第一陶瓷基材的体积以上，利用施加在上述第一导电层上的高频电力，从上述所期望的气体生成等离子体，利用该等离子体对上述载置的基板进行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101542016B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200880000148.8
申请日：2008-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/16
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/28562 , H01L21/76873
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
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公开(公告)号：CN101802976A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106639.0
申请日：2008-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。
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公开(公告)号：CN119480757A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411607234.2
申请日：2019-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。
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公开(公告)号：CN109216253B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201810736687.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在基板的背面发生的放电的静电卡盘的制造方法和静电卡盘。在该静电卡盘的制造方法中，该静电卡盘通过向第一电极层施加电压来吸附基板，所述静电卡盘的制造方法包括以下步骤：在基台上的第一树脂层上形成所述第一电极层的步骤；以及向所述第一电极层上喷镀陶瓷或含有陶瓷的物质，其中，喷镀所述陶瓷或含有陶瓷的物质的步骤包括以下步骤：利用等离子体生成气体来运送从给料机投入到喷嘴内的喷镀材料的粉末，从喷嘴的前端部的开口喷射该粉末；利用500W～10kW的电力使所喷射的等离子体生成气体解离，来生成与所述喷嘴具有共同的轴芯的等离子体；以及利用生成的等离子体使喷镀材料的粉末以液状在所述第一电极层上成膜。
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