公开(公告)号：CN116264147A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211555759.7

申请日：2022-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  针生大辉

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  H01J37/24 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够在基片侧和边缘环侧独立地控制电位的等离子体处理装置和电位控制方法。等离子体处理装置包括：腔室；用于产生电偏置的偏置电源；用于在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器，其包括用于保持基片的第一区域、以包围第一区域的方式设置的用于保持边缘环的第二区域、用于接收电偏置的设置在第一区域内的第一偏置电极、设置在第一区域内的被接地的第一阻抗调节电极、用于接收电偏置的设置在第二区域内的第二偏置电极、和设置在第二区域内的被接地的第二阻抗调节电极；阻抗调节机构，其与第一阻抗调节电极和第二阻抗调节电极中的至少一者连接；和电路径，其用于将偏置电源、第一偏置电极和第二偏置电极连接。

公开(公告)号：CN116544167A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310050087.2

申请日：2023-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  针生大辉 ,  佐藤隆彦 ,  永井力 ,  津田垒文 ,  丰田启吾

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。

公开(公告)号：CN115831698A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211089392.4

申请日：2022-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  针生大辉

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明的等离子体处理装置提供能够对基片支承部内的电极高效地供给电功率的改良后的电极构造。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其包括：基座；陶瓷部件；环状部件；配置在基片支承面的下方的第一和第二中央电极；第一和第二环状连接件，其内侧区域分别配置在第一和第二中央电极的边缘区域的下方，分别经由第一和第二纵向连接件与第一和第二中央电极的边缘区域电连接；和隔着气体分配空间形成在第一和第二环状连接件的下方的中央加热电极；经由第三纵向连接件与第一环状连接件的外侧区域电连接的DC电源；以及经由第四纵向连接件与第二环状连接件的外侧区域电连接的电压脉冲生成部。

公开(公告)号：CN118103970A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068400.9

申请日：2022-10-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 针生大辉 ,  石川真矢 ,  远藤悠 ,  青山美幸

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够缓和密封部件的填充率的等离子体处理装置和基片支承器。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座支承部，其配置于上述等离子体处理腔室内；基座，其形成有从上表面贯通至下表面的第一贯通孔，配置于上述基座支承部的上部；静电吸盘，其形成有从基片支承面或环支承面贯通至下表面且与上述第一贯通孔连通的第二贯通孔，配置于上述基座的上部；筒状的第一绝缘部件，其配置于上述第一贯通孔内；筒状的第二绝缘部件，其以将上述第一绝缘部件的至少一部分的周围包围的方式配置于上述第一贯通孔内；第一密封部件，其配置于上述第一绝缘部件与上述静电吸盘之间；和第二密封部件，其配置于上述第一绝缘部件与配置在上述基座支承部内的绝缘性的支承部件之间。

公开(公告)号：CN115831699A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211098957.5

申请日：2022-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  针生大辉

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理时恰当地抑制基片支承部内部发生异常放电。其包括等离子体处理腔室、基片支承部和生成偏置信号的偏置生成部，基片支承部包括：基座；具有第一和第二纵孔的陶瓷部件；环状部件；配置在基片支承面的下方的静电电极层；配置在静电电极层的下方的第一和第二中央偏置电极层；第一纵向连接件，其以在俯视时包围第一纵孔的方式在第一纵孔的附近纵向延伸，将第一中央偏置电极层与第二中央偏置电极层电连接；和第二纵向连接件，其以在俯视时包围第二纵孔的方式在第二纵孔的附近纵向延伸，将第一环状偏置电极层与第二环状偏置电极层电连接，并且，偏置生成部与第二环状偏置电极层电连接。