公开(公告)号：CN118843928A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026677.X

申请日：2023-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤隆彦

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明是支承基片的静电吸盘，其包括：具有基片支承面的电介质部件；形成于上述电介质部件的上表面的槽；和配置在上述电介质部件内的、可被施加高电压的多个电极层区段，在没有形成上述槽的上述电介质部件的上表面的下方配置有上述多个电极层区段中的至少一部分电极层区段，在上述槽的下方且比上述至少一部分电极层区段高的位置没有配置上述电极层区段。

公开(公告)号：CN118431142A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410099754.0

申请日：2024-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤隆彦

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够提高等离子体处理装置中的电功率效率的等离子体处理装置、静电卡盘和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座；静电卡盘，其包括基片载置部和边缘环载置部；和用于向基片载置部供电的第一供电部和用于向边缘环载置部供电的第二供电部中的至少任一者，第一供电部包括：形成在基片载置部的基片载置面的第一电极层；在基片载置部内配置在第一电极层的下方的第一吸附电极层；和与第一电极层电连接的第一偏置电源，第二供电部包括：形成在边缘环载置部的边缘环载置面的第二电极层；在边缘环载置部内配置在第二电极层的下方的第二吸附电极层；和与第二电极层电连接的第二偏置电源。

公开(公告)号：CN116544167A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310050087.2

申请日：2023-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  针生大辉 ,  佐藤隆彦 ,  永井力 ,  津田垒文 ,  丰田启吾

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。

公开(公告)号：CN118160082A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280070285.9

申请日：2022-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤隆彦 ,  吉田哲雄

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座；和配置在基座的上部的静电吸盘，静电吸盘包括：具有基片支承面和环支承面的电介质部件；配置在电介质部件内的吸附电极；配置在电介质部件内且配置在吸附电极的下方的偏置电极；和至少部分地配置在电介质部件内的至少一个导电性部件，电介质部件具有从基片支承面或环支承面贯通至上述电介质部件的下表面的贯通孔，至少一个导电性部件配置在贯通孔的周围，从与偏置电极相同的高度或比偏置电极高的位置向上方延伸。