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公开(公告)号：CN116544167A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310050087.2
申请日：2023-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。
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