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公开(公告)号：CN106252189B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610403890.X
申请日：2016-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32522 , G05B2219/45212 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32935 , H01J2237/334
Abstract: 本发明在等离子体处理装置内提高载置台的温度控制性。提供在等离子体处理装置内载置基板的载置台的温度控制方法，在等离子体处理装置内设置包括冷却载置台的冷却机构和加热载置台的第一加热机构的温度调整机构，通过测定来求取表示向等离子体处理装置内施加的高频电力与向载置台输入的热量的关系的第一关系信息，根据预先记录在记录部的数据表算出相对在规定工艺施加的高频电力的第一输入热量，依照输入热量阶段性设定冷却机构与第一加热机构的设定温度的差的控制容许范围，依照预先存储在记录部的操作图控制第一加热机构和冷却机构中至少任一者的温度，使得冷却机构与第一加热机构的设定温度的差成为与第一输入热量相应的控制容许范围内的温度。
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公开(公告)号：CN112863987A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011309494.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和气体导入方法。自腔室的侧壁向等离子体处理空间以不同的角度导入气体。该等离子体处理装置包括：腔室，具有侧壁和由所述侧壁包围的等离子体处理空间；第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线，构成为自所述侧壁向所述等离子体处理空间导入气体，所述第1侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第1侧部气体喷射器，所述多个第1侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以第1方向导入气体，所述第2侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第2侧部气体喷射器，所述多个第2侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以与所述第1方向不同的第2方向导入气体。
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公开(公告)号：CN116544167A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310050087.2
申请日：2023-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。
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公开(公告)号：CN106252189A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610403890.X
申请日：2016-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32522 , G05B2219/45212 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , G05D23/20 , H01J37/32954
Abstract: 本发明在等离子体处理装置内提高载置台的温度控制性。提供在等离子体处理装置内载置基板的载置台的温度控制方法，在等离子体处理装置内设置包括冷却载置台的冷却机构和加热载置台的第一加热机构的温度调整机构，通过测定来求取表示向等离子体处理装置内施加的高频电力与向载置台输入的热量的关系的第一关系信息，根据预先记录在记录部的数据表算出相对在规定工艺施加的高频电力的第一输入热量，依照输入热量阶段性设定冷却机构与第一加热机构的设定温度的差的控制容许范围，依照预先存储在记录部的操作图控制第一加热机构和冷却机构中至少任一者的温度，使得冷却机构与第一加热机构的设定温度的差成为与第一输入热量相应的控制容许范围内的温度。
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