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公开(公告)号：CN119547187A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380052649.5
申请日：2023-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、等离子体生成部、电磁铁单元和电源。基片支承部设置在腔室内。基片支承部包括第一区域和包围第一区域的第二区域，能够在第一区域上载置基片，能够在第二区域上载置边缘环。等离子体生成部构成为能够在腔室内生成等离子体。电磁铁单元包括至少一个电磁铁。电磁铁单元构成为能够形成在边缘环上的环状空间中局域化的磁场。电源与电磁铁单元的至少一个电磁铁电连接，构成为能够调节磁场强度。
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