公开(公告)号：CN117995672A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311397947.6

申请日：2023-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥笃史 ,  户村幕树 ,  松原稜

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 一种蚀刻方法，其包括：(a)向具备腔室、基板支承器、被供应源功率的等离子体生成部、及被供应偏置功率的偏置电极的等离子体处理装置的基板支承器提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序；及(b)对蚀刻对象膜进行蚀刻而形成凹部的工序。在(b)中，以包括第1期间及第2期间的周期周期性地供应源功率及偏置功率。在第1期间内对蚀刻对象膜进行蚀刻，在第2期间内第2处理气体吸附于蚀刻对象膜。

公开(公告)号：CN118231243A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311689555.7

申请日：2023-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原稜 ,  向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  大内田聪 ,  菊池拓人

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 在一示例性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有至少1个开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；及(b)使用由处理气体生成的等离子体，并经由至少1个开口对第2区域进行蚀刻的工序，所述处理气体含有含氟气体及CxHyClz(x及y为0以上的整数，满足x+y≥1，z为1以上的整数)气体。

公开(公告)号：CN112928010A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011356160.1

申请日：2020-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  松原稜 ,  新藤信明

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是抑制微粒向基板的附着的技术。基板处理方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压低的第二电压；将吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从气体供给部供给的气体的压力设为第二压力并且将向吸附部施加的施加电压设为第二电压的状态下，通过吸附部对基板进行静电吸附来将保持该基板第一时间；将从气体供给部供给的气体的压力从第二压力变更为比第一压力低且比第二压力高的第三压力；以及将向吸附部施加的施加电压从第二电压变更为比第二电压高的第三电压。

公开(公告)号：CN117832077A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311221266.4

申请日：2023-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原稜 ,  高桥笃史 ,  中根由太 ,  齐藤昴

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种蚀刻方法。该方法包含：(a)准备基板的工序，所述基板具备具有凹部的含硅膜和设置在含硅膜上且具有露出凹部的开口的掩模；(b)在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜的工序；以及(c)使用由包含含氟气体和含钨气体的处理气体生成的等离子体，在含碳膜上形成含有钨的保护膜并且在凹部蚀刻含硅膜的工序。

公开(公告)号：CN115376877A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210498081.7

申请日：2022-05-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原稜

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供温度控制方法和温度控制装置，其能够在处理基片时，抑制基片处理性能变动。等离子体处理装置的腔室的温度控制方法包括：步骤(a)，向上述腔室的内部提供基片；步骤(b)，测量上述腔室的内部构成部件的处理开始前温度；步骤(c)，基于测量出的上述处理开始前温度与预先设定的目标温度之差，决定温度控制条件；步骤(d)，基于上述温度控制条件，对上述内部构成部件实施利用等离子体进行升温和通过冷却气体的吹扫进行冷却中的至少任一者；以及步骤(e)，对上述基片进行等离子体处理。