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公开(公告)号：CN118231243A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311689555.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 在一示例性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有至少1个开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；及(b)使用由处理气体生成的等离子体，并经由至少1个开口对第2区域进行蚀刻的工序，所述处理气体含有含氟气体及CxHyClz(x及y为0以上的整数，满足x+y≥1，z为1以上的整数)气体。
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