公开(公告)号：CN117855088A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311287847.8

申请日：2023-10-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤昴 ,  中根由太 ,  高桥笃史 ,  石川慎也 ,  大内田聪 ,  户村幕树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供抑制蚀刻的形状异常的技术。本公开涉及的等离子体处理系统具备具有第一基板支持部的第一处理腔室、具有第二基板支持部且与第一处理腔室不同的第二处理腔室、与第一处理腔室以及第二处理腔室连接且具有搬运装置的搬运腔室和控制部，控制部执行如下处理：(a)将基板配置在第一处理腔室的第一基板支持部上，其具备具有凹部的含硅膜和含硅膜上的掩模，掩模具有露出凹部的开口；(b)在第一处理腔室内，在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜；(c)从第一处理腔室经由搬运腔室向第二处理腔室搬运基板，在第二基板支持部上配置基板；(d)在第二处理腔室内，使用由包含氟化氢气体的第一处理气体生成的等离子体蚀刻形成含碳膜的凹部的底部。

公开(公告)号：CN118645429A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410250009.1

申请日：2024-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泷野裕辅 ,  齐藤昴 ,  横山乔大

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统，能够抑制蚀刻的形状异常。所提供的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，提供具有层叠膜和层叠膜上的掩模的基板，所述层叠膜包含至少两种不同的含硅膜；工序(b)，使用从第一处理气体生成的等离子体对层叠膜进行蚀刻，来在层叠膜形成凹部；以及工序(c)，向层叠膜的凹部供给氟化氢。

公开(公告)号：CN117832077A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311221266.4

申请日：2023-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原稜 ,  高桥笃史 ,  中根由太 ,  齐藤昴

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种蚀刻方法。该方法包含：(a)准备基板的工序，所述基板具备具有凹部的含硅膜和设置在含硅膜上且具有露出凹部的开口的掩模；(b)在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜的工序；以及(c)使用由包含含氟气体和含钨气体的处理气体生成的等离子体，在含碳膜上形成含有钨的保护膜并且在凹部蚀刻含硅膜的工序。

公开(公告)号：CN116072539A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211310944.X

申请日：2022-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大内田聪 ,  向山广记 ,  齐藤昴 ,  木原嘉英 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。提供一种使蚀刻率提高的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有层叠膜的基板，该层叠膜包括硅氧化膜和氮化硅膜；以及工序(b)，从包含CxFy气体(x和y是1以上的整数)与含磷气体中的至少任一种气体以及HF气体的处理气体生成等离子体来对层叠膜进行蚀刻，其中在工序(b)中，基板支承部被控制为温度在0℃以上且70℃以下，并且被供给10kW以上的偏压RF信号或4kV以上的偏压DC信号。