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公开(公告)号：CN119563227A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380054367.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种能够改善在基板上形成的含金属抗蚀剂膜的表面粗糙度的技术。基板处理方法包括：提供包含底膜和在底膜上形成图案的含金属抗蚀剂膜的基板的工序(ST1)；在含金属抗蚀剂膜的表面形成含金属膜的工序(ST2)；和将含金属膜的至少一部分和含金属膜的残渣一起除去的工序(ST3)。
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公开(公告)号：CN119816920A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066539.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积比基底膜高的元素的材料构成；和工序（c），在第一膜上形成第二膜，其中，第二膜是含金属抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN114649182A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111529791.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法，抑制微粒的产生并且对腔室内迅速地进行预涂。基板处理方法包括：工序(a)，在配置于腔室内的腔室内部件形成预涂膜；以及工序(b)，在工序(a)之后，对1个以上的基板进行处理。工序(a)包括：工序(a1)，不使用等离子体地在所述腔室内部件形成第一膜，或使用在能够抑制所述腔室内部件的溅射的条件下生成的第一等离子体来在所述腔室内部件形成第一膜；以及工序(a2)，使用第二等离子体在所述第一膜的表面形成第二膜。
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公开(公告)号：CN119816921A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066553.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。
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公开(公告)号：CN119585842A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054369.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在基板支撑部上提供具有底膜和底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜包括第一区域和第二区域；和(b)对含金属抗蚀剂膜进行显影而从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序，(b)的工序包括：(b1)相对于第一区域以第一选择比除去第二区域的工序；和(b2)相对于第一区域以不同于第一选择比的第二选择比进一步除去第二区域的工序。
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公开(公告)号：CN117832077A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311221266.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种蚀刻方法。该方法包含：(a)准备基板的工序，所述基板具备具有凹部的含硅膜和设置在含硅膜上且具有露出凹部的开口的掩模；(b)在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜的工序；以及(c)使用由包含含氟气体和含钨气体的处理气体生成的等离子体，在含碳膜上形成含有钨的保护膜并且在凹部蚀刻含硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN119816786A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380053980.9
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(b)向处理腔室内供给包含羧酸的处理气体，使基板暴露于该羧酸，并相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而对抗蚀剂膜进行干式显影。在(b)中，羧酸的压力或分压为0.3Torr(40Pa)以上且小于100Torr(13332Pa)。
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公开(公告)号：CN119585843A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054380.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。本公开中的基板处理方法包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蚀剂膜的基板的工序，所述抗蚀剂膜具有第一区域和第二区域；(b)除去所述第二区域的至少一部分，使所述第一区域的侧面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一区域的至少上面形成沉积膜的工序；和(d)除去所述沉积膜的至少一部分和所述第二区域的至少一个的工序。
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公开(公告)号：CN113270315A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110067048.4
申请日：2021-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN112509920A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010914258.8
申请日：2020-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。
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