公开(公告)号：CN113192832A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110089464.4

申请日：2021-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  新藤信明 ,  米田滋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法和基板处理系统，能够适当地对离子体处理后的基板进行除电处理。该基板处理方法用于对基板进行处理，包括以下工序：工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；工序(b)，对电极供给高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；以及工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。

公开(公告)号：CN117916863A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280060608.6

申请日：2022-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山村崇志 ,  杨竣翔 ,  滨康孝

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供能够使附着在基片上的颗粒减少的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置是对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置，其包括：腔室；设置在腔室内的基片支承部，基片支承部具有用于支承基片的区域和设置在区域的周围的边缘环，能够在边缘环的内侧支承基片；用于在腔室内生成等离子体的等离子体生成部；升降器，其用于在腔室内控制基片支承部与基片的距离；和控制部，控制部能够执行如下控制：利用升降器，使基片位于与基片支承部相距第一距离的第一位置，在基片位于第一位置的状态下，利用等离子体生成部在腔室内生成等离子体，在腔室内生成了等离子体的状态下，利用升降器将基片从第一位置在边缘环的内侧载置在基片支承部。

公开(公告)号：CN112928010A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011356160.1

申请日：2020-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  松原稜 ,  新藤信明

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是抑制微粒向基板的附着的技术。基板处理方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压低的第二电压；将吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从气体供给部供给的气体的压力设为第二压力并且将向吸附部施加的施加电压设为第二电压的状态下，通过吸附部对基板进行静电吸附来将保持该基板第一时间；将从气体供给部供给的气体的压力从第二压力变更为比第一压力低且比第二压力高的第三压力；以及将向吸附部施加的施加电压从第二电压变更为比第二电压高的第三电压。

公开(公告)号：CN119013769A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202280094526.3

申请日：2022-02-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  新藤信明

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的等离子体处理装置的清洁方法包括：在设置于腔室的内部的载置台载置产品基片，对上述产品基片进行等离子体处理的步骤；和将具有比上述产品基片小的直径的第一仿真基片载置在上述载置台，在上述腔室的内部生成等离子体来进行清洁上述载置台的第一干式清洁的步骤。

公开(公告)号：CN110010466B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201910008656.0

申请日：2019-01-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  森北信也 ,  伊藤清仁

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法应用于具有第一膜～第三膜的基板。第三膜设置在基底区域上，第二膜设置在第三膜上，第一膜设置在第二膜上。第二膜包含硅和氮。对第一膜～第三膜依次进行蚀刻。在对第一膜～第三膜进行的蚀刻中，使用含氟和氢的处理气体的等离子体。至少在对第二膜进行的蚀刻中，将基板的温度设定为20℃以下的温度。

公开(公告)号：CN110010466A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910008656.0

申请日：2019-01-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  森北信也 ,  伊藤清仁

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法应用于具有第一膜～第三膜的基板。第三膜设置在基底区域上，第二膜设置在第三膜上，第一膜设置在第二膜上。第二膜包含硅和氮。对第一膜～第三膜依次进行蚀刻。在对第一膜～第三膜进行的蚀刻中，使用含氟和氢的处理气体的等离子体。至少在对第二膜进行的蚀刻中，将基板的温度设定为20℃以下的温度。

公开(公告)号：CN109390274B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201810877048.9

申请日：2018-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横山政司 ,  滨康孝

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供一种抑制绝缘膜的介电常数和尺寸偏差并使布线和通孔微细化的技术。在一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法中，被处理体具备具有布线的布线层、设置于布线层上的防扩散膜、设置于防扩散膜上的绝缘膜、设置于绝缘膜上并提供开口的金属掩模，绝缘膜具备通孔，该通孔设置于从开口露出的地方的一部分。该方法具备：第一工序，在被处理体的通孔的侧面形成牺牲膜；以及第二工序，对牺牲膜和绝缘膜进行蚀刻，来在通孔的底面进一步形成通孔，并从该通孔去除牺牲膜。

公开(公告)号：CN111834202A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010267814.7

申请日：2020-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  野吕基贵 ,  木野周

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]在不使掩模的开口部阻塞的情况下使掩模的基底膜收缩。[解决方案]提供一种基板处理方法，其包括如下工序：准备基板的工序，所述基板具有为含硅膜的第1膜、和形成于前述第1膜上、且具有第2开口部的第2膜；控制工序，将基板的温度控制为-30°以下；和，蚀刻工序，通过前述第2开口部蚀刻前述第1膜，在蚀刻前述第1膜的工序中，使用包含氟碳气体的第1处理气体的等离子体，按照随着蚀刻的推进，形成于前述第1膜的第1开口部的截面的形状变小的方式，使前述第1膜形成为锥形。

公开(公告)号：CN109390274A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810877048.9

申请日：2018-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横山政司 ,  滨康孝

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供一种抑制绝缘膜的介电常数和尺寸偏差并使布线和通孔微细化的技术。在一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法中，被处理体具备具有布线的布线层、设置于布线层上的防扩散膜、设置于防扩散膜上的绝缘膜、设置于绝缘膜上并提供开口的金属掩模，绝缘膜具备通孔，该通孔设置于从开口露出的地方的一部分。该方法具备：第一工序，在被处理体的通孔的侧面形成牺牲膜；以及第二工序，对牺牲膜和绝缘膜进行蚀刻，来在通孔的底面进一步形成通孔，并从该通孔去除牺牲膜。