公开(公告)号：CN111755374A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010201544.X

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥徹 ,  辻本宏 ,  新藤信明 ,  米田滋

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够在基板处理中减少通过静电吸盘吸附基板时的微粒并且使该基板处理的生产率提高。进行基板的处理的方法包括：载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上；保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及第二吸附工序，向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上。

公开(公告)号：CN112928010A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011356160.1

申请日：2020-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  松原稜 ,  新藤信明

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是抑制微粒向基板的附着的技术。基板处理方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压低的第二电压；将吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从气体供给部供给的气体的压力设为第二压力并且将向吸附部施加的施加电压设为第二电压的状态下，通过吸附部对基板进行静电吸附来将保持该基板第一时间；将从气体供给部供给的气体的压力从第二压力变更为比第一压力低且比第二压力高的第三压力；以及将向吸附部施加的施加电压从第二电压变更为比第二电压高的第三电压。

公开(公告)号：CN119013769A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202280094526.3

申请日：2022-02-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  新藤信明

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的等离子体处理装置的清洁方法包括：在设置于腔室的内部的载置台载置产品基片，对上述产品基片进行等离子体处理的步骤；和将具有比上述产品基片小的直径的第一仿真基片载置在上述载置台，在上述腔室的内部生成等离子体来进行清洁上述载置台的第一干式清洁的步骤。

公开(公告)号：CN113192832A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110089464.4

申请日：2021-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  新藤信明 ,  米田滋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法和基板处理系统，能够适当地对离子体处理后的基板进行除电处理。该基板处理方法用于对基板进行处理，包括以下工序：工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；工序(b)，对电极供给高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；以及工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。