公开(公告)号：CN119446960A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410971302.7

申请日：2024-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 唐泽宏之 ,  山本政和 ,  竹永裕一 ,  康荣太 ,  山崎翔太

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置，能够提高基片面内的处理结果的分布的调节的自由度。基片处理方法在具有处理容器和加热部的基片处理装置中执行，能够将基片送入和送出所述处理容器，所述加热部能够对所述处理容器内进行加热，所述基片处理方法包括：a步骤，基于第一预测模型，设定具有能够得到所要求的基片处理的结果的基片面内的温度分布的特定区间，其中，所述第一预测模型用于预测由所述加热部进行升温或降温后发生变化的基片面内的温度分布的时间变化；和b步骤，在所述特定区间进行所述基片处理。

公开(公告)号：CN114861930A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210085909.6

申请日：2022-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野田勇人 ,  山崎翔太 ,  竹永裕一 ,  福元敏之

IPC: G06N20/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供信息处理装置、程序和工艺条件搜索方法，其使用半导体制造装置的机器学习模型，搜索能够达成作为目标的工艺结果的工艺条件。为了解决上述问题，信息处理装置生成依照工艺条件执行处理的半导体制造装置的机器学习模型，使用机器学习模型搜索能够达成作为目标的工艺结果的工艺条件，并包括：选择使用多个回归方法所生成的多个机器学习模型中的、适合于数据集的机器学习模型的模块；使用所选择的机器学习模型进行优化计算，计算多个工艺条件、工艺结果的预测值和预测值的可靠度的模块；根据工艺结果的预测值和预测值的可靠度，选择1个以上的工艺条件的模块；以及显示所选择的工艺条件、工艺结果的预测值和预测值的可靠度的模块。

公开(公告)号：CN119234297A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041714.4

申请日：2023-05-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  木村壮一郎 ,  世小弓 ,  小田岛畅洋 ,  真崎祐次 ,  岳本昇 ,  小林真 ,  山崎翔太

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532

Abstract: 蚀刻方法包括：工序a，提供基片，基片包括第一膜和在第一膜上具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；工序b，在与开口对应地形成于第一膜的凹部的侧壁上形成保护膜；和工序c，与工序b同时或在工序b之后，利用从包含含卤素气体的处理气体生成的等离子体，经由开口对第一膜进行蚀刻。