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公开(公告)号：CN101504927A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910005187.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C4/12 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。
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公开(公告)号：CN101504927B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910005187.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C4/12 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。
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公开(公告)号：CN101038859A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088335.3
申请日：2007-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/509 , H05H1/34 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够遍及从中心部到周缘部的宽广范围进一步减小电极表面的电场分布不均匀，能够生成极高均匀性的等离子体，其中，上部电极(300)包括：电极板(310)，与构成下部电极的基座(116)相对；电极支撑体(320)，与电极板的下部电极侧的相反侧的面接合，以及支撑电极板，在电极支撑体的与电极板的接合面上，设置中心部和周缘部的高度不同的形状的空洞部(330)。
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公开(公告)号：CN100525577C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610093138.6
申请日：2006-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以防止电极板的损坏、并且可以防止部件个数的增加从而可以防止维护性的恶化的等离子体处理装置的电极组件。上部电极组件具有上部电极板(32)、冷却板(C/P)(34)、以及被配置在上部电极板(32)和C/P(34)之间的隔板(37)。上部电极板(32)具有贯通该上部电极板(32)的电极板气体通气孔(32a)。C/P(34)具有贯通该C/P(34)的C/P气体通气孔(34a)。隔板(37)具有贯通该隔板(37)的隔板气体通气孔(37a)。电极板气体通气孔(32a)、C/P气体通气孔(34a)和隔板气体通气孔(37a)不配置在同一直线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1929713A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610093138.6
申请日：2006-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以防止电极板的损坏、并且可以防止部件个数的增加从而可以防止维护性的恶化的等离子体处理装置的电极组件。上部电极组件具有上部电极板(32)、冷却板(C/P)(34)、以及被配置在上部电极板(32)和C/P(34)之间的隔板(37)。上部电极板(32)具有贯通该上部电极板(32)的电极板气体通气孔(32a)。C/P(34)具有贯通该C/P(34)的C/P气体通气孔(34a)。隔板(37)具有贯通该隔板(37)的隔板气体通气孔(37a)。电极板气体通气孔(32a)、C/P气体通气孔(34a)和隔板气体通气孔(37a)不配置在同一直线上。
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公开(公告)号：CN101038859B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710088335.3
申请日：2007-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/509 , H05H1/34 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够遍及从中心部到周缘部的宽广范围进一步减小电极表面的电场分布不均匀，能够生成极高均匀性的等离子体，其中，上部电极(300)包括：电极板(310)，与构成下部电极的基座(116)相对；电极支撑体(320)，与电极板的下部电极侧的相反侧的面接合，以及支撑电极板，在电极支撑体的与电极板的接合面上，设置中心部和周缘部的高度不同的形状的空洞部(330)。
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公开(公告)号：CN1329961C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03806899.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用电极(23)包括：支持部件(35)，与保持被处理基板(W)的电极(13)相对向地配置；电极板(36)，安装于支持部件(35)上，具备多个气体排出孔(36A)和与支持部件(35)相对向地开口的螺丝孔(44A)，从气体排出孔(36A)向其与电极(13)之间形成的处理空间内供给处理气体，在上述处理空间内形成等离子体；连接部件(42)，通过从支持部件(35)侧螺合于电极板(36)的螺丝孔(44A)中，将电极板(36)连接在支持部件(35)上。
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公开(公告)号：CN1643666A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806899.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用电极(23)包括：支持部件(35)，与保持被处理基板(W)的电极(13)相对向地配置；电极板(36)，安装于支持部件(35)上，具备多个气体排出孔(36A)和与支持部件(35)相对向地开口的螺丝孔(44A)，从气体排出孔(36A)向其与电极(13)之间形成的处理空间内供给处理气体，在上述处理空间内形成等离子体；连接部件(42)，通过从支持部件(35)侧螺合于电极板(36)的螺丝孔(44A)中，将电极板(36)连接在支持部件(35)上。
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公开(公告)号：CN3387595D
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03358730.2
申请日：2003-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Designer： 铃木隆司
Abstract: 1.仰视图与俯视图对称，省略仰视图。
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