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公开(公告)号：CN115513111A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210680655.2
申请日：2022-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片支承部和基片处理装置，能够提高基片支承部的温度控制效率。基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承所述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，其中，所述流路的上表面由陶瓷形成。
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公开(公告)号：CN115642070A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210808438.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 加藤诚人
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理装置中使用的上部电极组件及其制造方法和再生方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基片支承部；配置在基片支承部内的下部电极；导电性部件，其配置在基片支承部的上方，具有至少1个制冷剂入口和至少1个制冷剂出口，且与RF电位或DC电位连接；上部电极组件。该上部电极组件具有：导电性板，其以可拆装的方式连接于导电性部件的下表面，具有与至少1个制冷剂入口和至少1个制冷剂出口连通的1个或多个制冷剂流路；配置在导电性板的下方的电极板；和配置在电极板与导电性板之间的导电性接合片。根据本发明，能够有效地进行构成上部电极组件的电极板的温度调节。
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公开(公告)号：CN119585860A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380050428.4
申请日：2023-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的基片处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座；和配置在基座的上部的、具有基片支承面和环支承面的静电吸盘。静电吸盘构成为包括：形成在基片支承面上的多个传热气体供给孔；在基片支承面上以包围多个传热气体供给孔的方式形成在多个传热气体供给孔的外周的环状的密封环带；和在基片支承面上形成在多个传热气体供给孔中的最靠近密封环带的第一传热气体供给孔与密封环带之间的至少1个第一突起部。
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公开(公告)号：CN117916862A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280056172.3
申请日：2022-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 加藤诚人
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种配置在等离子体处理腔室内的基片支承器，其特征在于，包括：能够与至少1个电源电连接的基座；配置在基座上的、具有基片支承面的第一电介质部；和以包围第一电介质部的方式配置在基座上的、具有环支承面的第二电介质部，第一电介质部在内部具有：第一传热气体扩散空间；配置在第一传热气体扩散空间的上方的第一电极；和将第一电极与基座电连接的导电部，第二电介质部在内部具有：第二传热气体扩散空间；和配置在第二传热气体扩散空间的上方的第二电极，其能够与用于输出与基座共用的电压的电源电连接。
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公开(公告)号：CN114496700A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111287523.5
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种温度调节装置和基片处理装置。温度调节装置具有第1部件、流路和空腔。第1部件形成有作为温度控制的对象的第1面。流路沿着第1面形成在第1部件的内部，可流通制冷剂。空腔与流路的制冷剂的流速比其他区域高的流速变化区域相邻地设置于第1部件的内部。根据本发明，能够提高面内的温度的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118402054A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082588.2
申请日：2022-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H02N13/00
Abstract: 本发明的基片支承器包括：用于支承基片和边缘环的静电吸盘；和支承上述静电吸盘的基座，上述静电吸盘包括：第一区域，其构成为具有第一上表面，能够支承载置在第一上表面之上的基片；第二区域，其构成为具有第二上表面，设置于上述第一区域的周围，能够支承载置在上述第二上表面之上的边缘环；第一电极，其设置于上述第一区域，能够被施加直流电压；第二电极，其设置于上述第一电极的下部，能够被供给第一偏置功率；第三电极，其设置于上述第二电极的下部，能够被供给上述第一偏置功率；和第一气体供给路径，其配置于上述第二电极与上述第三电极之间，上述基片支承器还具有第一功率供给路径，上述第一功率供给路径与上述第二电极和上述第三电极电接触，用于供给上述第一偏置功率。
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公开(公告)号：CN118398541A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410060492.7
申请日：2024-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供提高基片支承部的温度控制效率的基片处理装置和基片支承部。基片处理装置包括：处理容器；配置在上述处理容器内的基片支承部；和至少向上述基片支承部供给RF电功率的电源，上述基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；基座，其具有供热交换介质流动的流路，支承上述静电吸盘；低线膨胀系数部件，其设置在上述静电吸盘与上述基座之间；传热片，其设置在上述低线膨胀系数部件与上述基座之间；固定部，其将上述传热片固定于上述低线膨胀系数部件；和导电性部件，其设置在上述低线膨胀系数部件与基座之间，将上述低线膨胀系数部件与基座电连接。
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公开(公告)号：CN117542717A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310940795.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 加藤诚人
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供抑制异常放电的等离子体处理装置和静电吸盘。等离子体处理装置包括基片支承部，其包括：具有基片支承面和背面的陶瓷部件；在陶瓷部件内配置在基片支承面的下方的吸盘电极层及其下方的偏置电极层；气体扩散通路，其在偏置电极层的下方沿水平方向延伸，具有主路径和多个分支路径；从背面沿纵向延伸至气体扩散通路的气体入口；以及多个气体出口，其各自具有：从多个分支路径之一沿水平方向延伸的中空部分；和从中空部分沿纵向延伸至基片支承面并被陶瓷多孔材料填满的多孔部分，等离子体处理装置还包括：向气体入口供给传热气体的传热气体供给部；对吸盘电极层施加DC电压的DC电源；和对偏置电极层施加电压脉冲的序列的偏置电源。
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公开(公告)号：CN117355931A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280037290.X
申请日：2022-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和基片支承器。本发明的等离子体处理装置包括基片支承器(11A)。基片支承器(11A)具有基座(14)、静电吸盘(16A)、吸盘电极(16a)和电极结构体(16pA)。静电吸盘(16A)配置在基座(14)上，具有中央区域(16R1)和环状区域(16R2)。吸盘电极(16a)配置在中央区域(16R1)内。电极结构体(16pA)在中央区域(16R1)中配置在吸盘电极(16a)的下方，被设置成电浮置状态。电极结构体(16pA)包括：第1电极层(161)；配置在第1电极层(161)的下方的第2电极层(162)；以及将第1电极层(161)和第2电极层(162)连接的一个或多个连接体(163)。至少一个偏置电源(32)与基片支承器(11A)电连接。
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公开(公告)号：CN107431012B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201680021637.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种蚀刻被蚀刻层的方法。在本发明的一实施方式的方法中，在吸附工序中，对下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于被蚀刻层。在接下来的蚀刻工序中，对下部电极施加高频偏压，并将由处理气体生成的离子引入被蚀刻层。吸附工序与蚀刻工序交替地重复。在吸附工序中，自由基的密度为离子的密度的200倍以上。在蚀刻工序中，功率密度为0.07W/cm2以下的RF能量供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm2以下的高频偏压在0.5秒以下的期间供给至下部电极。
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