公开(公告)号：CN116325081A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180066737.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 出张俊宪 ,  笹原丽红 ,  奥村哲平 ,  郑雄铉 ,  旭健史郎 ,  阿部宽之 ,  金承珉

IPC: H01L21/302

Abstract: 蚀刻方法具备如下工序：将具有层叠第1氧化硅系膜与氮化硅系膜与第2氧化硅系膜而成的3层层叠膜的基板设置于腔室内的工序；和，在腔室内，使用HF‑NH3系气体，调整各膜中的气体比的同时对3层层叠膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN101604658A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910145489.0

申请日：2009-06-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 笹原丽红 ,  田村纯 ,  田原慈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供一种具有相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，能够实现以良好的形状形成布线，并且/或者实现在形成气隙后也能够抑制布线变质。具备相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，包括以下至少任意一个工序：在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之前对层间绝缘膜(2)进行疏水改性处理的工序；和在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之后对布线(6)进行疏水改性处理的工序。

公开(公告)号：CN115116893A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210229166.5

申请日：2022-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三枝裕司 ,  半田达也 ,  笹原丽红 ,  旭健史郎 ,  西村和晃 ,  吉村章弘 ,  古泽正树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及气体处理装置。提供一种能够在使用含氟气体和碱性气体的气体处理时抑制由于微粒而在基板产生缺陷的气体处理装置。对基板实施气体处理的气体处理装置具有：腔室，其收容基板；气体供给机构，其将含氟气体和碱性气体独立地供给；以及气体导入构件，其使自气体供给机构供给来的含氟气体与碱性气体合流，并将含氟气体与碱性气体混合而成的混合气体向腔室导入，气体导入构件的包含含氟气体与碱性气体的合流部位的部分由铝类材料构成，至少在包含合流部位的部分形成有树脂涂层。

公开(公告)号：CN109328392B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201780037107.5

申请日：2017-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 笹原丽红 ,  黄祖虹 ,  奥村哲平

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供能够适当地蚀刻硼掺杂硅的基板处理方法。具有由SiB形成的SiB层(40)的晶圆W暴露于氟气及氨气中，对由载物台(12)载置的晶圆W进行加热。

公开(公告)号：CN109328392A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780037107.5

申请日：2017-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 笹原丽红 ,  黄祖虹 ,  奥村哲平

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供能够适当地蚀刻硼掺杂硅的基板处理方法。具有由SiB形成的SiB层(40)的晶圆W暴露于氟气及氨气中，对由载物台(12)载置的晶圆W进行加热。

公开(公告)号：CN101604658B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200910145489.0

申请日：2009-06-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 笹原丽红 ,  田村纯 ,  田原慈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供一种具有相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，能够实现以良好的形状形成布线，并且/或者实现在形成气隙后也能够抑制布线变质。具备相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，包括以下至少任意一个工序：在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之前对层间绝缘膜(2)进行疏水改性处理的工序；和在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之后对布线(6)进行疏水改性处理的工序。