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公开(公告)号：CN115116893A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210229166.5
申请日：2022-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及气体处理装置。提供一种能够在使用含氟气体和碱性气体的气体处理时抑制由于微粒而在基板产生缺陷的气体处理装置。对基板实施气体处理的气体处理装置具有：腔室，其收容基板；气体供给机构，其将含氟气体和碱性气体独立地供给；以及气体导入构件，其使自气体供给机构供给来的含氟气体与碱性气体合流，并将含氟气体与碱性气体混合而成的混合气体向腔室导入，气体导入构件的包含含氟气体与碱性气体的合流部位的部分由铝类材料构成，至少在包含合流部位的部分形成有树脂涂层。
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公开(公告)号：CN106796881B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580054412.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100530532C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
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公开(公告)号：CN111276425B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201911126878.9
申请日：2019-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西村和晃
Abstract: 本发明涉及发光监视方法、基板处理方法和基板处理装置。[课题]提供：产生SiF4气体的反应中，能以高精度监视SiF的发光的技术。[解决方案]在产生SiF4气体的反应中，监视SiF的发光的监视方法具备如下工序：将反应的包含SiF4气体的废气与Ar气体一起导入至发光监视单元的工序；和，在使发光监视单元的测定环境为Ar气体气氛的状态下，监视SiF的发光的工序。
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公开(公告)号：CN102732855A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210088598.5
申请日：2012-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法和薄膜形成装置，该薄膜形成装置的清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除被附着在装置内部的附着物，其中，该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序，在该清洗工序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047118A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710093621.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。
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公开(公告)号：CN1539159A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02815512.2
申请日：2002-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。
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公开(公告)号：CN111276425A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911126878.9
申请日：2019-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西村和晃
Abstract: 本发明涉及发光监视方法、基板处理方法和基板处理装置。[课题]提供：产生SiF4气体的反应中，能以高精度监视SiF的发光的技术。[解决方案]在产生SiF4气体的反应中，监视SiF的发光的监视方法具备如下工序：将反应的包含SiF4气体的废气与Ar气体一起导入至发光监视单元的工序；和，在使发光监视单元的测定环境为Ar气体气氛的状态下，监视SiF的发光的工序。
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公开(公告)号：CN106796881A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054412.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H2气体和Ar气体组成的处理气体以激励后的状态向腔室内供给；以及利用激励后的状态的处理气体来相对于硅锗选择性地对硅进行蚀刻。由此，能够相对于硅锗以高选择比对硅进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN1327485C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN02815512.2
申请日：2002-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。
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