公开(公告)号：CN116264146A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211533366.6

申请日：2022-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩佐琥伟 ,  户来雅也 ,  仙田孝博

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供抑制上部电极处的异常放电的上部电极和等离子体处理装置。所公开的上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件和第二部件。第一部件由导电体形成。第一部件提供多个第一孔。多个第一孔贯通第一部件。第二部件包含主体和覆盖层。主体由导电体形成，设置于第一部件的上方。覆盖层覆盖主体的表面。第二部件提供一个以上的第二孔。覆盖层的二次电子发射系数小于1。

公开(公告)号：CN113257653A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110143492.X

申请日：2021-02-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 仙田孝博

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供载置台、等离子体处理装置以及清洁处理方法，其防止粘接剂的消耗，并且防止异常放电。该载置台包括：载置部，其配置于等离子体空间，用于载置基板；粘接层，其将上述载置部和基台粘接起来；贯通孔，其贯通上述载置部、上述基台以及上述粘接层，用于供给传热气体；以及套筒部件，其具有设有用于连通上述贯通孔和上述等离子体空间的多个细孔的面，并且以上述面在上述贯通孔的内部位于上述粘接层上方的方式配置。

公开(公告)号：CN114496704A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111299136.3

申请日：2021-11-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 仙田孝博 ,  氏家智也 ,  佐藤诚人

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够将电极板悬挂保持于保持板的保持部件、上部电极组件、以及等离子体处理装置。该保持部件在将电极板保持于保持板时使用,其包括:轴部,其具有内螺纹部；以及卡定部,其在俯视时与上述轴部相比在至少一个方向扩大形成。

公开(公告)号：CN103069551A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180041451.4

申请日：2011-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久 ,  仙田孝博 ,  西本伸也 ,  山上宗隆 ,  茂山和基

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: G01N21/55 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 不影响平板缝隙天线的电磁波辐射特性的均匀性就能够使用波长区域较宽的非相干监视光来高精度地对处理容器内的被处理基板的表面进行光学监视。该微波等离子体蚀刻装置中的光学监视装置（100）具有：监视头（102），其在比载置在基座（12）上的半导体晶圆（W）的边缘靠径向内侧且比同轴管（66）靠径向外侧的位置配置在冷却套筒板（72）之上；监视用的光波导路（104），其以从该监视头（102）起向铅垂下方纵穿盖板（72）、电介质板（56）、缝隙板（54）以及电介质窗（52）的方式设置；以及监视主体（108），其经由光纤（106）与监视头（102）光学耦合。

公开(公告)号：CN114823267A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210032768.1

申请日：2022-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤诚人 ,  氏家智也 ,  仙田孝博

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种保持部件、上部电极组件以及等离子体处理装置，其能够将电极板悬挂保持于保持板。该保持部件在将电极板保持于保持板时使用，包括：第一部件，其具有轴部和卡定部，该轴部具有内螺纹部，该卡定部与上述轴部相比扩大形成；以及第二部件，其具有在一个方向延伸的长孔部，上述轴部穿过该长孔部上述第一部件构成为能够相对于上述第二部件进行滑动。

公开(公告)号：CN114388328A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111187847.1

申请日：2021-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 仙田孝博 ,  植村雄三 ,  桑原有生 ,  氏家智也

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置用于提高上部电极或其周边的温度的测定精度。该等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其配置于所述处理室内，用于载置基板；上部电极，其与所述载置台相向；调整所述上部电极的温度的构件；第一传感器，其设置于调整所述上部电极的温度的构件的内部，用于测定所述上部电极的温度；第一片构件，其配置于所述上部电极与所述第一传感器之间，该第一片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。

公开(公告)号：CN113496865A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110351041.5

申请日：2021-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桑原有生 ,  仙田孝博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置抑制顶部构件与上部构件之间的接触压力的变化。上部构件配置于对基板实施基板处理的处理室内的上部。顶部构件构成处理室的顶部，在与上部构件相对的相对面形成有贯通孔。支承构件贯穿贯通孔，并且设为能够在贯通孔内滑动移动，利用位于处理室内的一端支承上部构件。收容部收容支承构件的位于处理室外的另一端，相对于另一端在支承构件的移动方向上的另一端侧划分并设有第1空间，相对于另一端在移动方向上的一端侧划分并设有第2空间。压力控制部使第1空间与第2空间之间产生使支承构件移动的压力差。