公开(公告)号：CN115148593A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210300316.7

申请日：2022-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  渡边匠 ,  田边明良 ,  松尾瑞稀 ,  岩佐琥伟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本申请提供一种蚀刻方法和蚀刻处理装置。在蚀刻处理时，适当地形成高深宽比的蚀刻形状。一种基板的蚀刻方法，其具备如下工序：(a)向腔室内的基板支承体上供应基板的工序，所述基板包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有交替层叠有硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜，所述第二区域具有单层的硅氧化物膜；以及(b)利用由包含氢氟烃气体的第一处理气体生成的等离子体，对前述基板进行蚀刻的工序，前述氢氟烃气体包含第一氢氟烃气体，所述第一氢氟烃气体用CxHyFz(x表示2以上的整数，y和z表示1以上的整数)表示，且具有不饱和键。

公开(公告)号：CN117438272A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310821015.3

申请日：2023-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩佐琥伟 ,  谷川雄洋 ,  户来雅也 ,  大嶋一辉 ,  酒井让

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供使蚀刻形状提高并且抑制在等离子体处理装置中的异常放电的技术。提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备与下部电极耦合的第一射频信号生成器以及第二射频信号生成器和与上部电极耦合的直流信号生成器。第一射频信号在重复期间内的第一状态期间有第一功率电平，在重复期间内的第二状态期间有比第一功率电平小的第二功率电平，在重复期间内的第三状态期间有第二功率电平。第二射频信号在第一状态期间有第三功率电平，在第二状态期间有比第三功率电平大的第四功率电平，在第三状态期间有第三功率电平。直流信号在第一状态期间有第一电压电平，在第二状态期间有第二电压电平，第一电压电平的绝对值比第二电压电平的绝对值大。

公开(公告)号：CN116264146A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211533366.6

申请日：2022-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩佐琥伟 ,  户来雅也 ,  仙田孝博

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供抑制上部电极处的异常放电的上部电极和等离子体处理装置。所公开的上部电极在电容耦合型的等离子体处理装置中构成喷淋头。上部电极包括第一部件和第二部件。第一部件由导电体形成。第一部件提供多个第一孔。多个第一孔贯通第一部件。第二部件包含主体和覆盖层。主体由导电体形成，设置于第一部件的上方。覆盖层覆盖主体的表面。第二部件提供一个以上的第二孔。覆盖层的二次电子发射系数小于1。