喷淋头和等离子体处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115513029A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202210668642.3

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明提供能够防止在喷淋头的内部发生的异常放电的喷淋头和等离子体处理装置。本发明的喷淋头为用于向处理腔室的内部供给处理气体的喷淋头,其特征在于,包括:冷却板,其具有气体扩散室和从所述气体扩散室贯穿至所述冷却板的所述处理腔室侧的第1面的、供所述处理气体流通的多个第1贯通孔;上部电极,其具有与所述冷却板的所述第1面接触的第2面和用于形成所述处理腔室的内表面的第3面,并且具有从所述第2面贯穿至所述第3面的多个第2贯通孔;和形成在所述第1面或所述第2面的、彼此隔开间隔设置的多个凹部,所述多个第1贯通孔中的任一个第1贯通孔经由所述多个凹部中的任一个凹部与所述多个第2贯通孔中的至少两个所述第2贯通孔连接。

    保持部件、上部电极组件以及等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN114823267A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210032768.1

    申请日:2022-01-12

    Abstract: 本发明提供一种保持部件、上部电极组件以及等离子体处理装置,其能够将电极板悬挂保持于保持板。该保持部件在将电极板保持于保持板时使用,包括:第一部件,其具有轴部和卡定部,该轴部具有内螺纹部,该卡定部与上述轴部相比扩大形成;以及第二部件,其具有在一个方向延伸的长孔部,上述轴部穿过该长孔部上述第一部件构成为能够相对于上述第二部件进行滑动。

    等离子体处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114388328A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111187847.1

    申请日:2021-10-12

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置用于提高上部电极或其周边的温度的测定精度。该等离子体处理装置具有:处理室;载置台,其配置于所述处理室内,用于载置基板;上部电极,其与所述载置台相向;调整所述上部电极的温度的构件;第一传感器,其设置于调整所述上部电极的温度的构件的内部,用于测定所述上部电极的温度;第一片构件,其配置于所述上部电极与所述第一传感器之间,该第一片构件在1MHz的频率下的相对介电常数为2.4以上。

    聚焦环
    5.
    外观设计

    公开(公告)号:CN306024351S

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201930258942.3

    申请日:2019-05-24

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:聚焦环。
    2.本外观设计产品的用途:本产品用于将在腔室内生成的等离子体的分布从半导体晶片面上扩展至本产品上。
    3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。
    4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。

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