公开(公告)号：CN105158791B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201510365453.9

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  张磊 ,  杨瑾 ,  陈梦斐 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王宇彤 ,  胡艳 ,  王林军

IPC: G01T3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。

公开(公告)号：CN105140392B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201510565633.1

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  张淑玮 ,  吴白羽 ,  周家伟 ,  任兵 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a‑C/Fe薄膜阻变层，其中Fe的掺杂量为4 at%。本发明通过在非晶碳中掺杂Fe，使得不含氧的a‑C/Fe薄膜阻变层具有磁性、具有反常阻变特性，且阻变性能稳定，使薄膜具有较高的矫顽力和巨磁阻等独特的磁性质和磁输运特性；结构简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN105742492B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201610225882.0

申请日：2016-04-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  周家伟 ,  张电 ,  季欢欢 ,  杨瑾 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王林军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5‑20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN105140392A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510565633.1

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  张淑玮 ,  吴白羽 ,  周家伟 ,  任兵 ,  黄健 ,  王林军

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a-C/Fe薄膜阻变层，其中Fe的掺杂量为4 at%。本发明通过在非晶碳中掺杂Fe，使得不含氧的a-C/Fe薄膜阻变层具有磁性、具有反常阻变特性，且阻变性能稳定，使薄膜具有较高的矫顽力和巨磁阻等独特的磁性质和磁输运特性；结构简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN105742492A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610225882.0

申请日：2016-04-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  周家伟 ,  张电 ,  季欢欢 ,  杨瑾 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王林军

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5?20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN105158791A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510365453.9

申请日：2015-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄健 ,  张磊 ,  杨瑾 ,  陈梦斐 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王宇彤 ,  胡艳 ,  王林军

IPC: G01T3/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测。