公开(公告)号：CN1285501C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200510023575.6

申请日：2005-01-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  桑文斌 ,  刘洪涛 ,  李万万 ,  詹峰

IPC: C01B19/00 ,  C01B19/04 ,  C01G9/00 ,  C01G11/00

Abstract: 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻炉中的石英反应管中，随后将其上方的孔口封口，将其下方设置的微小通气孔调节至需要的孔口大小，其调节大小范围为0.3-3mm2，然后抽真空，保持一定的真空度，真空度范围为10-1-10-2Pa；继续打开真空系统，使石英反应管内的合成化合物于源端高温处产生的气相物质被气流运送至沉积端；源端温度为800-1000℃，沉积端区的温度为450-600℃，运输速率为20-40g/24hr；电阻加热炉内温度梯度为16-24℃/cm，石英管内产生的尾气籍真空系统经冷阱收集于尾气吸收池。本发明方法及装置的优点是气相输送速率快，生产效率高，而且结构简单，易于操作。

公开(公告)号：CN1657403A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510023575.6

申请日：2005-01-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  桑文斌 ,  刘洪涛 ,  李万万 ,  詹峰

IPC: C01B19/00 ,  C01B19/04 ,  C01G9/00 ,  C01G11/00

Abstract: 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属于高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻炉中的石英反应管中，随后将其上方的孔口封口，将其下方设置的微小通气孔调节至需要的孔口大小，其调节大小范围为0.3－3mm2，然后抽真空，保持一定的真空度，真空度范围为10－1－10－2Pa；继续打开真空系统，使石英反应管内的合成化合物于源端高温处产生的气相物质被气流运送至沉积端；源端温度为800—1000℃，沉积端区的温度为450－600℃，运输速率为20－40g/24hr；电阻加热炉内温度梯度为16－24℃/cm，石英管内产生的尾气籍真空系统经冷阱收集于尾气吸收池。本发明方法及装置的优点是气相输送速率快，生产效率高，而且结构简单，易于操作。