公开(公告)号：CN114000129A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202110723692.2

申请日：2021-06-29

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  田邉克久 ,  柴田利明

IPC: C23C18/44 ,  C23C18/32

Abstract: 本发明公开了一种化学镀钯浴，至少含有钯化合物、还原剂、络合物以及稳定剂。稳定剂为二价硫化合物与具有杂环结构的化合物键结而成的有机化合物，该有机化合物不具有硫醇基与双硫键。因此，能够抑制钯在镀镍膜上的析出性的降低，同时能够提高镀浴的稳定性。

公开(公告)号：CN114807918A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210500745.9

申请日：2022-04-28

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  田边克久 ,  田中小百合 ,  柴山文德

IPC: C23C18/48

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可赋予与镀敷膜(金属膜)的良好附着性的金属置换处理液、使用该金属置换处理液的铝或铝合金的表面处理方法。一种含有锌化合物、镍化合物、锗化合物、氟化合物的金属置换处理液。

公开(公告)号：CN118547270A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410561347.7

申请日：2019-11-29

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  柴田利明 ,  小田幸典

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明涉及化学镀浴，公开了一种使用无卤素的化学镀浴的微小垫的制备方法，本发明的无卤素的化学镀浴即使在镀浴中不含有氯化物等卤化物也具有镀膜性优异的特性。本发明的微小垫的制备方法为200μm×200μm以下的微小垫的制备方法，微小垫在基体侧上依次构成基底金属层、Pt层或Pd层，Pt层或Pd层使用含有水溶性铂化合物或水溶性钯化合物、和还原剂的化学镀浴而形成，水溶性铂化合物为四氨合铂(II)络盐，但是，除去所述四氨合铂(II)络盐的卤化物，水溶性钯化合物为四氨合钯(II)络盐，但是，除去所述四氨合钯(II)络盐的卤化物和硫酸四氨钯(II)，还原剂为甲酸或其盐，化学镀浴作为添加剂不含有卤化物。

公开(公告)号：CN117248215A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310704616.6

申请日：2023-06-14

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  田边克久 ,  田中小百合 ,  柴山文德

IPC: C23F1/20

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是酸性也能得到镀镍等金属镀敷的良好的析出性的蚀刻处理液、使用该蚀刻处理液的铝或铝合金的表面处理方法。一种蚀刻处理液，其含有锌化合物、氟化合物，pH为4.5～6.5。

公开(公告)号：CN115961273A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211209004.1

申请日：2022-09-30

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 田中小百合 ,  前川拓摩 ,  田邉克久 ,  柴山文德

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明公开了一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，能够以一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐以及异丙基肼盐酸盐等所构成的组中选择的至少一种。

公开(公告)号：CN111254424A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911199413.6

申请日：2019-11-29

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  柴田利明 ,  小田幸典

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明提供即使在镀浴中不含有氯化物等卤化物也具有镀膜性优异的特性的化学镀浴。本发明的无卤素的化学镀浴，其为含有水溶性铂化合物或水溶性钯化合物、和还原剂的化学镀浴，所述水溶性铂化合物为四氨合铂(II)络盐，但是，除去所述四氨合铂(II)络盐的卤化物，所述水溶性钯化合物为四氨合钯(II)络盐，但是，除去所述四氨合钯(II)络盐的卤化物和硫酸四氨钯(II)，所述还原剂为甲酸或其盐，所述化学镀浴作为添加剂不含有卤化物。

公开(公告)号：CN110718523A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910634802.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  小田幸典 ,  柴田利明 ,  伊井义人 ,  神崎翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供了可以防止凸块的基底导电层中使用的金属扩散至Au层表面或Ag层表面的凸块。本发明的导电性凸块为在基体上形成的导电性凸块，其中，所述凸块从基体侧依次至少具有基底导电层、Pd层、与所述Pd层直接接触的Pt层、以及Au层或者Ag层，所述凸块的直径为20μm以下。