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公开(公告)号：CN110718523A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910634802.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了可以防止凸块的基底导电层中使用的金属扩散至Au层表面或Ag层表面的凸块。本发明的导电性凸块为在基体上形成的导电性凸块，其中，所述凸块从基体侧依次至少具有基底导电层、Pd层、与所述Pd层直接接触的Pt层、以及Au层或者Ag层，所述凸块的直径为20μm以下。
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