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公开(公告)号：CN103314418B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280005107.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 大冶美有限公司
CPC classification number: H01F1/24 , B22F1/02 , B22F1/025 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C33/0214 , C22C33/0278 , C22C38/02 , C22C2202/02 , H01F1/26 , H01F1/33 , H01F3/08 , H01F27/255 , H01F41/0246 , B22F3/02 , B22F2003/248 , B22F2201/02 , B22F2201/20
Abstract: 本发明的低磁致伸缩高磁通量密度复合软磁性材料含有通过含Mg绝缘皮膜或磷酸盐皮膜进行绝缘处理的纯铁系复合软磁性粉末颗粒及包含11～16质量%的Si的Fe-Si合金粉末颗粒，其中，Fe-Si合金粉末颗粒相对于总量的比例为10～60质量%，且颗粒之间具有边界层。本发明的低磁致伸缩高磁通量密度复合软磁性材料的制造方法中，将通过含Mg绝缘皮膜或磷酸盐皮膜进行绝缘处理的纯铁系复合软磁性粉末和包含11～16质量%的Si的Fe-Si合金粉末配合成Fe-Si合金粉末相对于总量的比例为10～60质量%，并将其压缩成型，在非氧化性气氛中进行烧成。当通过含Mg绝缘皮膜对复合软磁性粉末进行绝缘处理时，将烧成温度设为500℃～1000℃，当通过磷酸盐皮膜对复合软磁性粉末颗粒进行绝缘处理时，将烧成温度设为350℃～500℃。
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公开(公告)号：CN103314418A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280005107.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 大冶美有限公司
CPC classification number: H01F1/24 , B22F1/02 , B22F1/025 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C33/0214 , C22C33/0278 , C22C38/02 , C22C2202/02 , H01F1/26 , H01F1/33 , H01F3/08 , H01F27/255 , H01F41/0246 , B22F3/02 , B22F2003/248 , B22F2201/02 , B22F2201/20
Abstract: 本发明的低磁致伸缩高磁通量密度复合软磁性材料含有通过含Mg绝缘皮膜或磷酸盐皮膜进行绝缘处理的纯铁系复合软磁性粉末颗粒及包含11～16质量%的Si的Fe-Si合金粉末颗粒，其中，Fe-Si合金粉末颗粒相对于总量的比例为10～60质量%，且颗粒之间具有边界层。本发明的低磁致伸缩高磁通量密度复合软磁性材料的制造方法中，将通过含Mg绝缘皮膜或磷酸盐皮膜进行绝缘处理的纯铁系复合软磁性粉末和包含11～16质量%的Si的Fe-Si合金粉末配合成Fe-Si合金粉末相对于总量的比例为10～60质量%，并将其压缩成型，在非氧化性气氛中进行烧成。当通过含Mg绝缘皮膜对复合软磁性粉末进行绝缘处理时，将烧成温度设为500℃～1000℃，当通过磷酸盐皮膜对复合软磁性粉末颗粒进行绝缘处理时，将烧成温度设为350℃～500℃。
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公开(公告)号：CN105144309B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480020885.X
申请日：2014-05-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C1/14 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C17/12 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：VxAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
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公开(公告)号：CN104040647B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380004775.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/04 , H01C7/041
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：TixAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN104025211B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380004634.8
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C30B25/06 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/023 , H01C7/04 , H01C7/043 , H01C17/12
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：TixAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105247630A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031424.2
申请日：2014-08-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：Mx(Al1-wSiw)yNz表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜w＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-Al-Si合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105144310A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480021973.1
申请日：2014-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C17/12
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1-vVv)xAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-V-Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。
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公开(公告)号：CN105144309A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480020885.X
申请日：2014-05-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C1/14 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C17/12 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：VxAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V-Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
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公开(公告)号：CN104823031A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062949.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: G01K7/22 , G01K1/143 , G01K13/08 , H01C1/14 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C1/142 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/04 , H01L23/495 , H01L35/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种温度传感器，其具备：一对引线框架；传感器部，与一对引线框架连接；及绝缘性保持部，保持引线框架，传感器部具备：带状的绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，在绝缘性薄膜的表面的中央部被图案形成；一对梳状电极，在薄膜热敏电阻部的上方具有多个梳齿部且相互对置地被图案形成；及一对图案电极，一端与一对梳状电极连接，并且另外一端在绝缘性薄膜的端部与一对引线框架连接，并在绝缘性薄膜的表面被图案形成，绝缘性薄膜在弯曲成略U字形的状态下将薄膜热敏电阻部配置在顶端部，且两端部固定在一对引线框架上。
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公开(公告)号：CN104812927B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380061000.6
申请日：2013-12-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C7/042 , H01C17/12
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(Ti1‑vCrv)xAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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