公开(公告)号：CN104995718B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201380072880.7

申请日：2013-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  三谷阳一郎 ,  田中贵规 ,  川畑直之 ,  丰田吉彦 ,  黑岩丈晴 ,  浜野健一 ,  大野彰仁 ,  越智顺二 ,  川津善平

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H‑SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。

公开(公告)号：CN104995718A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380072880.7

申请日：2013-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  三谷阳一郎 ,  田中贵规 ,  川畑直之 ,  丰田吉彦 ,  黑岩丈晴 ,  浜野健一 ,  大野彰仁 ,  越智顺二 ,  川津善平

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H-SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。