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公开(公告)号：CN115668510A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080101331.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 通过抑制在场效应晶体管的体二极管中产生大电流，抑制元件特性的变动。碳化硅半导体装置具备：碳化硅半导体基板；半导体层，形成于碳化硅半导体基板的上表面；以及背面电极，形成于碳化硅半导体基板的下表面，将电阻率是第1值的区域设为第1电阻区域，将电阻率是比第1值大的第2值的区域设为第2电阻区域，第2电阻区域是在俯视时跨越活性区域与终端区域之间的边界即区域边界的区域。
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公开(公告)号：CN111133586A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201780094773.2
申请日：2017-10-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 超级结层(90)包括具有第1导电类型的第1柱(3)和具有第2导电类型的第2柱(4)。第1阱(5a)设置于第2柱(4)的各个上，到达第1柱(3)，具有第2导电类型。第1杂质区域(6a)设置于第1阱(5a)的各个上，具有第1导电类型。第2阱(5b)设置于第1柱(3)的各个上，在与半导体层(1)垂直的活性区域的剖面中远离第2柱(4)地配置，具有第2导电类型。第2杂质区域(6b)设置于第2阱(5b)的各个上，具有第1导电类型。
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公开(公告)号：CN116547788A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202080107673.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，形成第1面构造；第3工序，从第2面对硅晶片进行研磨；以及第4工序，形成第2面构造。
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公开(公告)号：CN111133586B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201780094773.2
申请日：2017-10-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 超级结层(90)包括具有第1导电类型的第1柱(3)和具有第2导电类型的第2柱(4)。第1阱(5a)设置于第2柱(4)的各个上，到达第1柱(3)，具有第2导电类型。第1杂质区域(6a)设置于第1阱(5a)的各个上，具有第1导电类型。第2阱(5b)设置于第1柱(3)的各个上，在与半导体层(1)垂直的活性区域的剖面中远离第2柱(4)地配置，具有第2导电类型。第2杂质区域(6b)设置于第2阱(5b)的各个上，具有第1导电类型。
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公开(公告)号：CN116137935B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202080104747.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 碳化硅层(SL)在面内方向上具有活性区域(100)和配置于活性区域(100)的外周的外周区域(200)。多个第1阱区域(30)配置于活性区域(100)。第2阱区域(31)配置于外周区域(200)。多个欧姆电极(70)设置于碳化硅层(SL)的第2面上，与源极电极(80)连接，与多个第1阱区域(30)电欧姆连接，具有与碳化硅层(SL)的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域(100)包括标准区域部(102)和标准区域部(102)与外周区域(200)之间的稀疏区域部(101)。稀疏区域部(101)相比于标准区域部(102)，俯视时的多个面区域的面密度更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118402074A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202180105047.2
申请日：2021-12-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 川畑直之
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336
Abstract: 目的在于提供可不损害碳化硅半导体装置的生产率地提高碳化硅半导体装置的可靠性的技术。在半导体结构中，规定有：活性区域、和沿着活性区域的外周与活性区域连接的终端区域，碳化硅基板包含：在终端区域设置、或者在终端区域和活性区域中与终端区域相接的部分设置、与缓冲层相接的高电阻区域，高电阻区域的电阻比碳化硅基板的高电阻区域以外的区域即剩余的区域的电阻高。
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公开(公告)号：CN116137935A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202080104747.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06
Abstract: 碳化硅层(SL)在面内方向上具有活性区域(100)和配置于活性区域(100)的外周的外周区域(200)。多个第1阱区域(30)配置于活性区域(100)。第2阱区域(31)配置于外周区域(200)。多个欧姆电极(70)设置于碳化硅层(SL)的第2面上，与源极电极(80)连接，与多个第1阱区域(30)电欧姆连接，具有与碳化硅层(SL)的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域(100)包括标准区域部(102)和标准区域部(102)与外周区域(200)之间的稀疏区域部(101)。稀疏区域部(101)相比于标准区域部(102)，俯视时的多个面区域的面密度更低。
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公开(公告)号：CN119653796A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410826681.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过在半导体装置中降低沟槽端部的空穴密度来抑制电场的增加，并提高雪崩耐压的半导体装置。在位于半导体装置的外周区域(40)的沟槽(7)的延伸方向的外周部处，将下部电极(10)中的比上部电极(9)延伸到外侧的下部电极的延伸部(10a)以覆盖所述上部电极(9)的端部的方式，进一步延伸到所述半导体基板的上表面，使沟槽(7)的宽度在沟槽端部(7a)处最窄。
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公开(公告)号：CN116547788B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080107673.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，形成第1面构造；第3工序，从第2面对硅晶片进行研磨；以及第4工序，形成第2面构造。
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公开(公告)号：CN115004342A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080094157.9
申请日：2020-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本公开的目的在于提供一种生产性优良且抑制在体二极管中流过大电流时的特性劣化的碳化硅半导体装置。包括SiC基板(10)、缓冲层(11)以及漂移层(12)的构造体在俯视时被划分成在对SiC‑MOSFET(101)施加电压时流过电流的活性区域(13)和比活性区域(13)更靠外周侧的耐压保持区域(14)，活性区域(13)在俯视时被划分成中央部的第1活性区域(15)、和第1活性区域(15)与耐压保持区域(14)之间的第2活性区域(16)。第2活性区域(16)以及耐压保持区域(14)中的少数载流子的寿命比第1活性区域(13)中的少数载流子的寿命短。
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