公开(公告)号：CN109860159B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201811408623.7

申请日：2018-11-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中康雄

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/15 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明得到能够防止可靠性的降低的半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。比下表面电极(3)薄的导电薄膜(7)在陶瓷基板(2)的下表面与下表面电极(3)相比设置于外侧，与下表面电极(3)连接。从下表面电极(3)的外周至陶瓷基板(2)的外周为止的长度，与从上表面电极(4、5)的外周至陶瓷基板(2)的外周为止的长度相同。导电薄膜(7)的厚度小于或等于陶瓷基板(2)的厚度的一半。

公开(公告)号：CN117438404A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310865586.7

申请日：2023-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  田中康雄 ,  曾田真之介

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/08

Abstract: 提供一种确保了半导体元件的电极与端子的接合强度的半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：半导体元件(2)，其具有电极(3)；基板(4)；端子(5a)；以及接合材料(11)。端子(5a)包含贯通孔(6)，在贯通孔(6)的内部具有台阶部(7)。接合材料(11)覆盖贯通孔(6)的内部的台阶部(7)，并且与半导体元件(2)的电极(3)接触。

公开(公告)号：CN109860159A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811408623.7

申请日：2018-11-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中康雄

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/15 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明得到能够防止可靠性的降低的半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。比下表面电极(3)薄的导电薄膜(7)在陶瓷基板(2)的下表面与下表面电极(3)相比设置于外侧，与下表面电极(3)连接。从下表面电极(3)的外周至陶瓷基板(2)的外周为止的长度，与从上表面电极(4、5)的外周至陶瓷基板(2)的外周为止的长度相同。导电薄膜(7)的厚度小于或等于陶瓷基板(2)的厚度的一半。