公开(公告)号：CN105489567B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510640745.9

申请日：2015-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104

Abstract: 本发明得到一种具有高耐湿性的半导体装置。在半导体衬底(1)的主面上设置有半导体元件(2)。电极焊盘(3a、3b、3c)设置在半导体衬底(1)的主面上，与半导体元件(2)连接。保护环(6)包围半导体元件(2)以及电极焊盘(3a、3b、3c)而设置在半导体衬底(1)的主面上，被赋予基准电位。绝缘膜(7)对在保护环(6)的内侧处半导体衬底(1)的半导体露出的区域全部进行覆盖。绝缘膜(7)由不使水分通过的材料构成。

公开(公告)号：CN106098757A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475

Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN102969289B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210317464.6

申请日：2012-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  小山英寿 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4855 ,  H01L23/481 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底(1)的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极(2)。一端和漏极电极连接的漏极布线(5)设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线分离的漏极电极垫(12)。Au镀层(9)设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙(10)。空隙内包漏极布线的一端和漏极电极。已固化的聚酰亚胺膜(14)阻塞空隙的开口部(11)，覆盖漏极布线的另一端，而不覆盖漏极电极垫。在空隙的内表面设置有拒液膜(15)。经由在已固化的聚酰亚胺膜(14)设置的开口(16)，通过Au镀层(18)，漏极布线的另一端和漏极电极垫连接。漏极布线的另一端不从聚酰亚胺膜露出。

公开(公告)号：CN102969289A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210317464.6

申请日：2012-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  小山英寿 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4855 ,  H01L23/481 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底（1）的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极（2）。一端和漏极电极（2）连接的漏极布线（5）设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线（5）分离的漏极电极垫（12）。Au镀层（9）设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙（10）。空隙（10）内包漏极布线（5）的一端和漏极电极（2）。已固化的聚酰亚胺膜（14）阻塞空隙（10）的开口部（11），覆盖漏极布线（5）的另一端，而不覆盖漏极电极垫（12）。在空隙（10）的内表面设置有拒液膜（15）。经由在已固化的聚酰亚胺膜（14）设置的开口（16），通过Au镀层（18），漏极布线（5）的另一端和漏极电极垫（12）连接。漏极布线（5）的另一端不从聚酰亚胺膜（14）露出。

公开(公告)号：CN111937125B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201880092056.0

申请日：2018-04-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 场效应型晶体管具有在电子供给层(103、403)之上形成的栅极电极(108、408)、源极电极(104)、漏极电极(105)，并且具有：绝缘膜(106、407)，其包覆所述电子供给层(103、403)；以及所述绝缘膜的开口部(111、411)，其设置于形成所述栅极电极(108、408)的区域而具有梯形四棱柱状轮廓面，使所述栅极电极(108、408)与通过所述开口部(111、411)将所述电子供给层(103、403)露出的区域进行肖特基接合，并且使由所述开口部(111、411)所形成的梯形四棱柱状轮廓面相对于所述电子供给层(103、403)的表具有25度至75度的范围的倾斜角。

公开(公告)号：CN103681522A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310423624.X

申请日：2013-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  井上晃 ,  横山吉典 ,  藤田淳 ,  远藤加寿代 ,  曾田真之介 ,  西川和康

IPC: H01L23/08

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L29/78 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上，分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上，包围半导体元件(2)，与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13)，密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106～1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。

公开(公告)号：CN101958321B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010226934.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国井彻郎 ,  天清宗山 ,  山本佳嗣 ,  野上洋一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。

公开(公告)号：CN114503254A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201980101103.8

申请日：2019-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29

Abstract: 在散热片(1)的上表面(1a)设置有半导体芯片(2)。引线端子(5、6)与半导体芯片(2)电连接，且不在散热片(1)的第1侧面(1c)的上方延伸，而是在散热片(1)的第2侧面(1d)的上方延伸。模制树脂(10)对散热片(1)的上表面、第1侧面(1c)以及第2侧面(1d)、半导体芯片(2)以及引线端子(5、6)的一部分进行覆盖。散热片(1)的下表面(1b)从模制树脂(10)露出。设置有因散热片(1)的第1侧面(1c)的下部凹陷而被模制树脂(10)填充的锚固构造(11)。散热片(1)的第2侧面(1d)不存在锚固构造11)。散热片(1)不从模制树脂(10)的侧面(10a)突出。

公开(公告)号：CN106098757B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN104641465A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048748.2

申请日：2013-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  曾田真之介 ,  西川和康 ,  野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  井上晃

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/06

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板(1)形成多个半导体元件(2)。在SOI基板(12)形成多个密封窗(8)和支撑多个密封窗(8)的支撑部(13)。通过加压部件(14)将SOI基板(12)压到基板(1)，经由配置在多个半导体元件(2)的周边的低熔点玻璃材料(7)使SOI基板(12)的多个密封窗(8)接合到基板(1)。从接合到基板(1)的多个密封窗(8)切断支撑部(13)。