公开(公告)号：CN104120427B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201410163190.9

申请日：2014-04-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  菱江化学株式会社

Inventor： 铃木智子 ,  田代宪史 ,  内藤幸英 ,  一乡亚加梨

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/108 ,  C09K13/04 ,  C23C18/1653 ,  C23C22/52 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23G1/103 ,  H01L21/32134 ,  H05K3/067 ,  H05K3/383 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本发明提供一种配线基板的处理方法以及使用该方法制造的配线基板。本发明的配线基板的处理方法包括：在半加成法中，使包含作为晶种层的无电解铜和作为配线图案的电解铜的基板接触包含氯离子的蚀刻前处理用液体组合物的第一工序；以及，接着，利用包含过氧化氢、硫酸、四唑类、氯离子、铜离子和水的蚀刻用液体组合物对前述已处理的配线基板进行蚀刻处理的第二工序。

公开(公告)号：CN104120427A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410163190.9

申请日：2014-04-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  菱江化学株式会社

Inventor： 铃木智子 ,  田代宪史 ,  内藤幸英 ,  一乡亚加梨

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/108 ,  C09K13/04 ,  C23C18/1653 ,  C23C22/52 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23G1/103 ,  H01L21/32134 ,  H05K3/067 ,  H05K3/383 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本发明提供一种配线基板的处理方法以及使用该方法制造的配线基板。本发明的配线基板的处理方法包括：在半加成法中，使包含作为晶种层的无电解铜和作为配线图案的电解铜的基板接触包含氯离子的蚀刻前处理用液体组合物的第一工序；以及，接着，利用包含过氧化氢、硫酸、四唑类、氯离子、铜离子和水的蚀刻用液体组合物对前述已处理的配线基板进行蚀刻处理的第二工序。

公开(公告)号：CN115428129A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180028400.1

申请日：2021-04-07

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  三菱瓦斯化学贸易株式会社

Inventor： 内藤幸英 ,  松永裕嗣 ,  玉井聪

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H05K3/06

Abstract: 提供一种用于连续且稳定地进行处理的蚀刻方法以及该蚀刻方法中使用的组合物，该蚀刻方法能够抑制铜布线等其它金属的溶出而快速去除由钛和/或钛合金形成的晶种层。更详细而言，提供一种用于蚀刻钛和/或钛合金的组合物以及使用了该组合物的蚀刻方法，该组合物包含过氧化氢(A)、氟化物(B)、氟化物离子以外的卤化物离子(C)和水(D)，其中，以组合物的总量为基准，过氧化氢(A)的含量为0.01～0.23质量％；以组合物的总量为基准，氟化物(B)的含量为0.2～3质量％；以组合物的总量为基准，氟化物离子以外的卤化物离子(C)的含量为0.0005～0.025质量％。

公开(公告)号：CN118765338A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202380022864.0

申请日：2023-02-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  三菱瓦斯化学贸易株式会社

Inventor： 玉井聪 ,  内藤幸英 ,  大前健祐 ,  远山宽贵 ,  宫下欣树

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明涉及用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物。本发明的蚀刻用组合物是用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物，其特征在于，包含过氧化氢(A)、硫酸(B)、唑类或其盐(C)、二醇醚类(D)、卤化物离子(E)和水(F)，过氧化氢(A)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.1～10质量％，硫酸(B)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.5～5质量％，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)之比用摩尔比表示为2以上，卤化物离子(E)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.01～3ppm。

公开(公告)号：CN114207529A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080054482.2

申请日：2020-07-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  三菱瓦斯化学贸易株式会社

Inventor： 内藤幸英 ,  大前健祐 ,  松永裕嗣 ,  玉井聪

IPC: G03F7/42 ,  H05K3/18

Abstract: 本发明提供：除铜布线外、还可对镀锡及镀锡合金进行防腐，并且可以从印刷电路板或半导体晶圆上将光致抗蚀剂去除的水性组合物及使用其的光致抗蚀剂的去除方法。本发明的水性组合物的特征在于，其包含烷醇胺(A)、氢氧化季铵(B)、糖醇(C)、极性有机溶剂(D)及水(E)，以组合物的总量基准计，烷醇胺(A)的含量为2.5～50质量％，氢氧化季铵(B)的含量为0.5～4质量％，糖醇(C)的含量为0.5～20质量％。