公开(公告)号：CN1397090A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN01804293.7

申请日：2001-11-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 南场哲 ,  丸山岳人 ,  阿部久起 ,  青山哲男

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。

公开(公告)号：CN1214449C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN01804293.7

申请日：2001-11-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 南场哲 ,  丸山岳人 ,  阿部久起 ,  青山哲男

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。

公开(公告)号：CN1575509A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02820986.9

申请日：2002-10-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 南场哲 ,  阿部久起

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明涉及铝/钼层叠膜的蚀刻方法，用含有磷酸、硝酸、有机酸和阳离子生成成分的水溶液构成的湿法蚀刻液，对含有至少一种铝系金属膜和至少一种钼系高熔点金属膜的层叠膜进行蚀刻。通过使湿法蚀刻液中的水分含量维持在10～30重量％，可以将层叠膜湿法蚀刻成良好的正圆锥形状。

公开(公告)号：CN100350570C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN02820986.9

申请日：2002-10-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 南场哲 ,  阿部久起

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明涉及铝/钼层叠膜的蚀刻方法，用含有磷酸、硝酸、有机酸和阳离子生成成分的水溶液构成的湿法蚀刻液，对含有至少一种铝系金属膜和至少一种钼系高熔点金属膜的层叠膜进行蚀刻。通过使湿法蚀刻液中的水分含量维持在10～30重量%，可以将层叠膜湿法蚀刻成良好的正圆锥形状。