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公开(公告)号：CN1155055C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99802117.2
申请日：1999-11-11
Applicant: 夏普株式会社 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , C11D7/18 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/02071 , C03C23/0075 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G1/24 , G02F1/13439 , G03F7/423 , H01L21/0273 , H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种包含0.1-60%重量氧化剂和0.0001-5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中，用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中，通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中，薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。
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公开(公告)号：CN1575509A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02820986.9
申请日：2002-10-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/768 , C23F1/20 , C23F1/26
Abstract: 本发明涉及铝/钼层叠膜的蚀刻方法，用含有磷酸、硝酸、有机酸和阳离子生成成分的水溶液构成的湿法蚀刻液，对含有至少一种铝系金属膜和至少一种钼系高熔点金属膜的层叠膜进行蚀刻。通过使湿法蚀刻液中的水分含量维持在10～30重量％，可以将层叠膜湿法蚀刻成良好的正圆锥形状。
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公开(公告)号：CN108117186A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711202762.X
申请日：2017-11-27
Applicant: 三菱化学水解决方案株式会社 , 三菱瓦斯化学株式会社 , 菱水处理股份有限公司
IPC: C02F9/04 , C02F101/30
CPC classification number: C02F9/00 , C02F1/44 , C02F1/66 , C02F1/722 , C02F1/725 , C02F2101/30 , C02F2305/026
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用过氧化氢、铁盐以及活性炭高效地分解废水中的难分解性的被氧化性物质的方法。一种含被氧化性物质废水的处理方法，其包括下述工序(I)和(II)，工序(I)：在下述条件(A)下将过氧化氢、铁盐、活性炭以及含被氧化性物质废水混合，在酸性条件下分解被氧化性物质而得到反应液的分解工序；工序(II)：将反应液在下述条件(B)下分离为含有亚铁盐、三价铁盐以及活性炭的污泥和处理水的分离工序；条件(A)：过氧化氢相对于活性炭的总质量的添加速度Vh在下述式(1)的范围；条件(B)：过氧化氢相对于反应液的总质量的浓度为25ppm以下，(式中，HF是活性炭的过氧化氢分解因子。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1397090A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN01804293.7
申请日：2001-11-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L21/32134 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。
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公开(公告)号：CN108117186B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201711202762.X
申请日：2017-11-27
Applicant: 三菱化学水解决方案株式会社 , 三菱瓦斯化学株式会社 , 菱水处理股份有限公司
IPC: C02F9/04 , C02F101/30
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用过氧化氢、铁盐以及活性碳高效地分解废水中的难分解性的被氧化性物质的方法。一种含被氧化性物质废水的处理方法，其包括下述工序(I)和(II)，工序(I)：在下述条件(A)下将过氧化氢、铁盐、活性碳以及含被氧化性物质废水混合，在酸性条件下分解被氧化性物质而得到反应液的分解工序；工序(II)：将反应液在下述条件(B)下分离为含有亚铁盐、三价铁盐以及活性碳的污泥和处理水的分离工序；条件(A)：过氧化氢相对于活性碳的总质量的添加速度Vh在下述式(1)的范围；条件(B)：过氧化氢相对于反应液的总质量的浓度为25ppm以下，(式中，HF是活性碳的过氧化氢分解活性)。
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公开(公告)号：CN1214449C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01804293.7
申请日：2001-11-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L21/32134 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。
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公开(公告)号：CN100350570C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN02820986.9
申请日：2002-10-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/768 , C23F1/20 , C23F1/26
Abstract: 本发明涉及铝/钼层叠膜的蚀刻方法，用含有磷酸、硝酸、有机酸和阳离子生成成分的水溶液构成的湿法蚀刻液，对含有至少一种铝系金属膜和至少一种钼系高熔点金属膜的层叠膜进行蚀刻。通过使湿法蚀刻液中的水分含量维持在10～30重量%，可以将层叠膜湿法蚀刻成良好的正圆锥形状。
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公开(公告)号：CN1288589A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN99802117.2
申请日：1999-11-11
Applicant: 夏普株式会社 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/02071 , C03C23/0075 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G1/24 , G02F1/13439 , G03F7/423 , H01L21/0273 , H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种包含0.1—60%重量氧化剂和0.0001—5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中,用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中,通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中,薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。
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