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公开(公告)号：CN107099801A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201611175677.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/44
Abstract: 本发明提供对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法。根据本发明，能够提供一种液体组合物，其是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中，不包括咖啡因)1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0。
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公开(公告)号：CN102762770A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009674.2
申请日：2011-02-15
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法，所述蚀刻液的pH为2.5~5，包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂。
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公开(公告)号：CN102985596A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180030089.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/14
CPC classification number: C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , H01L21/32134
Abstract: 提供一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液、以及使用其的包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液，其中配混有(A)分子内具有两个以上羧基、且具有一个以上羟基的有机酸离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氨和/或铵离子供给源，所述蚀刻液的pH为5~8；以及使用其的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN100580561C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN03147049.1
申请日：2003-07-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的防蚀显影组合物含有：含1-10%重量的有机碱的水溶液，1-10%重量的糖化合物和1-10%重量的多元醇。该防蚀显影组合物在防止金属腐蚀和显影性能方面具有优异的特性，并适用于半导体元件和液晶显示器件的生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1570772A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03147049.1
申请日：2003-07-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的防蚀显影组合物含有：含1－10％重量的有机碱的水溶液，1－10％重量的糖化合物和1－10％重量的多元醇。该防蚀显影组合物在防止金属腐蚀和显影性能方面具有优异的特性，并适用于半导体元件和液晶显示器件的生产。
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公开(公告)号：CN107099801B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201611175677.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/44
Abstract: 本发明提供对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法。根据本发明，能够提供一种液体组合物，其是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中，不包括咖啡因)1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0。
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公开(公告)号：CN102985596B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180030089.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/14
CPC classification number: C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , H01L21/32134
Abstract: 提供一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液、以及使用其的包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液，其中配混有(A)分子内具有两个以上羧基、且具有一个以上羟基的有机酸离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氨和/或铵离子供给源，所述蚀刻液的pH为5~8；以及使用其的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN102762770B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201180009674.2
申请日：2011-02-15
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法，所述蚀刻液的pH为2.5~5，包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂。
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公开(公告)号：CN102203952A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143613.8
申请日：2009-10-05
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种用于在薄膜太阳能电池中实现高光电转换效率的透明导电膜的纹理加工液及透明导电膜的制造方法。通过使以氧化锌为主要成分的透明导电膜的表面与含有聚丙烯酸或其盐及酸性成分的水溶液接触，从而形成具有凹凸的纹理，进一步用碱性水溶液对该工序后的具有凹凸的透明导电膜表面进行接触处理。
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