压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法

    公开(公告)号:CN110462103A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201880021257.1

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 本发明涉及压延铜箔的制造方法、压延铜箔的表面处理方法以及压延铜箔用表面处理液。本发明中,使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3~3.0的范围内、硫酸(B)处于0.5~15.0质量%的范围内、醇(C)处于0.1~5.0质量%的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解,由此处理压延铜箔表面。根据本发明的优选方式,可以将压延铜箔表面平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑。

    压延铜箔的粗糙化液、粗糙化铜箔的制造方法

    公开(公告)号:CN118251516A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202280076110.9

    申请日:2022-11-15

    Abstract: 一种水性组合物;以及使用其的铜箔的粗糙化方法、和粗糙化铜箔的制造方法、以及粗糙化铜箔、使用其的柔性印刷电路板,该水性组合物用于对压延铜箔的表面进行粗糙化,含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、以及唑化合物(C)和/或其盐,前述水性组合物中的过氧化氢(A)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.1~5质量%,前述水性组合物中的硫酸(B)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.5~15质量%,前述水性组合物中的唑化合物(C)的含量以水性组合物的总质量为基准计为0.01~0.3质量%,前述水性组合物中的过氧化氢(A)与硫酸(B)的摩尔比以过氧化氢/硫酸的比表示为0.1~1.0的范围,前述唑化合物(C)为选自由苯并三唑化合物和四唑化合物组成的组中的至少1种。

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