公开(公告)号：CN100388485C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200410007450.X

申请日：2004-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 落合公 ,  武真人

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/295 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，即使将发热量大的第一半导体芯片和发热量小的第二半导体芯片一体地由树脂密封，也没有影响。由在各外引线(25A)上引线键合外部电极引出用的焊盘(16)的发热量大的第一半导体芯片(15)和在各外引线(25B)上引线键合外部电极引出用焊盘(18)的比第一半导体芯片放发量小的第二半导体芯片(17)形成，利用高导热性树脂(28)模制所述第一半导体芯片(15)，并利用非高导热性树脂(31)一体地模制第二半导体芯片(17)和由高导热性树脂模制的第一半导体芯片(15)。

公开(公告)号：CN1530206A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410003863.0

申请日：2004-02-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司 ,  先进切割技术有限公司

Inventor： 和久井元明 ,  落合公 ,  罗恩·艾瓦尔 ,  吉尔·谢特里特

IPC: B24B49/00

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种切割装置，其特征在于，包括：晶片载置台，其用于载置晶片；刀片，其配置在该晶片载置台上；光源，利用该刀片向形成于所述晶片的切割线区域的切削槽之中照射检测光；识别照相机，根据来自所述切削槽的反射光检测所述切削槽的形状；位置补正装置，根据该识别照相机的检测结果进行刀片的位置补正，使切削槽的中心线位于规定位置且切削槽的深度形成规定值。

公开(公告)号：CN100380646C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510067474.9

申请日：2005-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 落合公

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/301 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装型半导体装置及其制造方法，可提高芯片尺寸封装型半导体装置及其制造方法的可靠性。准备形成有焊盘电极(11)的半导体衬底(10)，并在半导体衬底(10)的表面形成由环氧树脂构成的第一保护层(20)。然后，形成自半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(12)。然后，形成通过通孔(12)与焊盘电极(11)电连接且自通孔(12)延伸至半导体衬底(10)的背面的配线层(13)。然后，形成第二保护层(14)、导电端子(15)，再通过切割将半导体衬底(10)分离为各个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN1836329A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480022901.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 今泉英雄 ,  加藤卓治 ,  中岛宪一 ,  针谷正巳 ,  桑田将爱 ,  落合公 ,  坪野谷诚 ,  涉泽克彦 ,  高瀬岩

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49558 ,  H01L21/565 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，将包括内部具有空隙的电路元件的多个电路元件树脂密封。电路装置(10)具有：内部具有间隙的第一电路元件(13A)、和与第一电路元件(13A)电连接的多个第二电路元件(13B)。第一电路元件(13A)及第二电路元件(13B)由密封树脂(15)密封。第一电路元件(13A)和第二电路元件(13B)分开的距离比第二电路元件(13B)相互间分开的距离长。

公开(公告)号：CN100440509C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200480022901.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 今泉英雄 ,  加藤卓治 ,  中岛宪一 ,  针谷正巳 ,  桑田将爱 ,  落合公 ,  坪野谷诚 ,  涉泽克彦 ,  高瀬岩

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49558 ,  H01L21/565 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，将包括内部具有空隙的电路元件的多个电路元件树脂密封。电路装置(10)具有：内部具有间隙的第一电路元件(13A)、和与第一电路元件(13A)电连接的多个第二电路元件(13B)。第一电路元件(13A)及第二电路元件(13B)由密封树脂(15)密封。第一电路元件(13A)和第二电路元件(13B)分开的距离比第二电路元件(13B)相互间分开的距离长。

公开(公告)号：CN1691318A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067474.9

申请日：2005-04-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 落合公

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/301 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装型半导体装置及其制造方法，可提高芯片尺寸封装型半导体装置及其制造方法的可靠性。准备形成有焊盘电极(11)的半导体衬底(10)，并在半导体衬底(10)的表面形成由环氧树脂构成的第一保护层(20)。然后，形成自半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(12)。然后，形成通过通孔(12)与焊盘电极(11)电连接且自通孔(12)延伸至半导体衬底(10)的背面的配线层(13)。然后，形成第二保护层(14)、导电端子(15)，再通过切割将半导体衬底(10)分离为各个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN1577826A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061704.6

申请日：2004-06-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 落合公 ,  武真人

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H05K1/0203 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/3426 ,  H05K2201/10659 ,  H05K2201/10689 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及混合集成电路装置。目前难于有效地使树脂模制的半导体元件产生的热量排放，该半导体元件会因热应力而损坏。在本发明中，具有连结在岛23的通用引线24M等，通用引线24M等的一部分自树脂密封体31露出。露出的通用引线24M等具有连结部30，在固定安装半导体装置32时，通用引线24M等通过号疗5桥接。由此，固定安装在岛23上面的集成电路芯片22产生的热量通过通用引线24M等排放到树脂密封体31的外部。此时，在本发明中，通过增大通用引线24M等的表面积，可进一步提高散热性能。

公开(公告)号：CN1531092A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410007450.X

申请日：2004-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 落合公 ,  武真人

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/295 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，即使将发热量大的第一半导体芯片和发热量小的第二半导体芯片一体地由树脂密封，也没有影响。由在各外引线25A、25A…上引线接合外部电极引出用的焊盘16、16的发热量大的第一半导体芯片15和在各外引线25B、25B…上引线接合外部电极引出用焊盘18、18的比第一半导体芯片放发量小的第二半导体芯片17形成，利用高导热性树脂28模制所述第一半导体芯片15，并利用非高导热性树脂31一体地模制第二半导体芯片17和由高导热性树脂模制的第一半导体芯片15。

公开(公告)号：CN100346476C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410061704.6

申请日：2004-06-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 落合公 ,  武真人

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H05K1/0203 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/3426 ,  H05K2201/10659 ,  H05K2201/10689 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及混合集成电路装置。目前难于有效地使树脂模制的半导体元件产生的热量排放，该半导体元件会因热应力而损坏。在本发明中，具有连结在岛23的通用引线24M等，通用引线24M等的一部分自树脂密封体31露出。露出的通用引线24M等具有连结部30，在固定安装半导体装置32时，通用引线24M等通过号疗5桥接。由此，固定安装在岛23上面的集成电路芯片22产生的热量通过通用引线24M等排放到树脂密封体31的外部。此时，在本发明中，通过增大通用引线24M等的表面积，可进一步提高散热性能。

公开(公告)号：CN1702853A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073804.5

申请日：2005-05-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 落合公

IPC: H01L23/055 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301

CPC classification number: H05K3/3442 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09154 ,  H05K2201/2036 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，可不使工序复杂，提高安装时的强度及精度。在半导体衬底(10)的背面沿切割线(DL)形成槽(14)。进而形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(16)。在通孔(16)内形成埋入电极(18)，和其连接，形成沿切割线(DL)附近延伸的配线层(19)。在配线层(19)的端部形成导电端子(21)。然后，通过进行沿切割线(DL)的切割，完成在背面端部具有倾斜面1s的半导体装置(1)。在半导体装置(1)通过回流处理与电路衬底(30)连接时，流动性增强的导电膏覆盖导电端子(21)及倾斜面(1s)。在此，在半导体装置(1)外缘的电路衬底(30)上形成含有侧嵌条的导电膏(40a、40b)。