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公开(公告)号：CN1996615A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610163632.5
申请日：2006-12-01
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L21/331 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/7322 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0821 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，存在构成分离区域的P型埋入扩散层的横向扩散宽度宽，而难以缩小装置尺寸的问题。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(6)上形成两层外延层(7)、(8)。在外延层(7)、(8)上，形成有构成分离区域(3)、(4)、(5)的P型埋入扩散层(43)、(44)、(45)及P型扩散层(46)、(47)、(48)。此时，P型埋入扩散层(43)、(44)、(45)自第一层外延层(7)的表面扩散而形成。通过该结构，P型埋入扩散层(43)、(44)、(45)的横向扩散宽度W1、W2、W3变窄，从而能够缩小NPN晶体管(1)的装置尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101771013A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910262202.2
申请日：2009-12-22
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05556 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01006
Abstract: 一种半导体装置，其在铜配线上把铜引线进行引线接合而构成，抑制配线脱落和在铜引线下的绝缘膜出现裂纹的不好情况。本发明的半导体装置具备：在半导体基板(1)上形成的铜配线(8)、把所述铜配线(8)的表面和侧面覆盖地形成的镀敷层(10)、经由所述镀敷层(10)在所述铜配线(8)上进行引线接合的铜引线(22)。
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公开(公告)号：CN1983596A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164045.8
申请日：2006-12-06
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/73 , H01L21/822 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，存在由于构成分离区的P型埋入扩散层的横向扩散宽度变宽，而难以得到所希望的耐压特性的问题。在本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(6)上形成两层外延层(7)、(8)，外延层(8)与外延层(7)相比是高杂质浓度。外延层(7)、(8)由分离区(3)、(4)、(5)划分成多个元件形成区域，在一个元件形成区域上形成有NPN晶体管(1)。并且，在作为NPN晶体管(1)的基区而使用的P型扩散层(12)与P型分离区(3)之间形成有N型扩散层(14)。根据该结构，基区－分离区之间难以产生短路，可以提高NPN晶体管(1)的耐压特性。
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公开(公告)号：CN1979890A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610165955.8
申请日：2006-12-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L27/092 , H01L21/331 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/1004 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明所要解决的课题是在现有半导体装置中由构成分离区域的P型埋入扩散层横向扩散宽度扩展等而引起的难于得到所希望的耐压特性的问题。解决课题的手段是，本发明的半导体装置在P型单晶硅衬底(6)上形成外延层(7)。在外延层(7)上形成分离区域(3)、(4)、(5)而划分成多个元件形成区域。在元件形成区域之一中，形成NPN晶体管(1)。且在作为NPN晶体管(1)的基极区域使用的P型扩散层(10)与P型分离区域(3)之间形成N型扩散层(12)。根据该结构能使基极区域－分离区域之间难于短路而提高NPN晶体管(1)的耐压特性。
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公开(公告)号：CN100585857C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200610164045.8
申请日：2006-12-06
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/73 , H01L21/822 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，存在由于构成分离区的P型埋入扩散层的横向扩散宽度变宽，而难以得到所希望的耐压特性的问题。在本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(6)上形成两层外延层(7)、(8)，外延层(8)与外延层(7)相比是高杂质浓度。外延层(7)、(8)由分离区(3)、(4)、(5)划分成多个元件形成区域，在一个元件形成区域上形成有NPN晶体管(1)。并且，在作为NPN晶体管(1)的基区而使用的P型扩散层(12)与P型分离区(3)之间形成有N型扩散层(14)。根据该结构，基区-分离区之间难以产生短路，可以提高NPN晶体管(1)的耐压特性。
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公开(公告)号：CN100474614C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610165955.8
申请日：2006-12-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L27/092 , H01L21/331 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/1004 , H01L29/66272 , H01L29/7322
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明所要解决的课题是在现有半导体装置中由构成分离区域的P型埋入扩散层横向扩散宽度扩展等而引起的难于得到所希望的耐压特性的问题。解决课题的手段是，本发明的半导体装置在P型单晶硅衬底(6)上形成外延层(7)。在外延层(7)上形成分离区域(3)、(4)、(5)而划分成多个元件形成区域。在元件形成区域之一中，形成NPN晶体管(1)。且在作为NPN晶体管(1)的基极区域使用的P型扩散层(10)与P型分离区域(3)之间形成N型扩散层(12)。根据该结构能使基极区域-分离区域之间难于短路而提高NPN晶体管(1)的耐压特性。
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