公开(公告)号：CN101771013A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910262202.2

申请日：2009-12-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小内聪 ,  赤石实 ,  石关浩史 ,  佐野芳明

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01006

Abstract: 一种半导体装置，其在铜配线上把铜引线进行引线接合而构成，抑制配线脱落和在铜引线下的绝缘膜出现裂纹的不好情况。本发明的半导体装置具备：在半导体基板(1)上形成的铜配线(8)、把所述铜配线(8)的表面和侧面覆盖地形成的镀敷层(10)、经由所述镀敷层(10)在所述铜配线(8)上进行引线接合的铜引线(22)。