公开(公告)号：CN101399236A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810168907.3

申请日：2008-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小林信次 ,  富泽勇

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，解决在具有密封环(sealring)的半导体芯片的形成中，在旋涂光致抗蚀剂等之际，容易因密封环拐角而产生条痕的问题。将布线金属层和接触件层叠，形成包围半导体芯片(20)的元件形成区域(22)的密封环构造(28)。密封环构造(28)的平面形状是在与半导体芯片(20)的形状相对应的矩形的基础上，将该矩形的拐角部分(60)倒角后的形状。即，密封环构造(28)沿着倒角后的矩形周围配置。

公开(公告)号：CN100383977C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410069885.7

申请日：2004-07-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 富泽勇 ,  甲斐诚二 ,  八木巧司

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种可以提高受光度的固体摄像装置的制造方法。本发明的固体摄像装置的制造方法具有：在受光区域L与非受光区域B上形成绝缘膜(21)的工序；及在受光区域L上的绝缘膜上形成透镜形成用的掩模图案(23)，在非受光区域(B)上的绝缘膜(21)上形成透镜形成用的伪掩模图案(23d)的工序；将掩模图案(23)与伪掩模图案(23d)作为掩模，对绝缘膜(21)进行蚀刻，以在绝缘膜(21)上形成多个凸起部的工序；在绝缘膜(21)上形成第一透镜膜(24)的工序；在第一透镜膜(24)上形成比其蚀刻率低的平坦化膜(25)的工序；对第一透镜膜(24)及平坦化膜(25)进行深腐蚀的工序；和在第一透镜膜(24)上形成第二透镜膜(26)的工序。

公开(公告)号：CN1581499A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410069885.7

申请日：2004-07-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 富泽勇 ,  甲斐诚二 ,  八木巧司

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种可以提高受光度的固体摄像装置的制造方法。本发明的固体摄像装置的制造方法具有：在受光区域L与非受光区域B上形成绝缘膜(21)的工序；及在受光区域L上的绝缘膜上形成透镜形成用的掩模图案(23)，在非受光区域(B)上的绝缘膜(21)上形成透镜形成用的伪掩模图案(23d)的工序；将掩模图案(23)与伪掩模图案(23d)作为掩模，对绝缘膜(21)进行蚀刻，以在绝缘膜(21)上形成多个凸起部的工序；在绝缘膜(21)上形成第一透镜膜(24)的工序；在第一透镜膜(24)上形成比其蚀刻率低的平坦化膜(25)的工序；对第一透镜膜(24)及平坦化膜(25)进行深腐蚀的工序；和在第一透镜膜(24)上形成第二透镜膜(26)的工序。