公开(公告)号：CN102110602A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010593405.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 松井俊和 ,  佐山康之 ,  江藤弘树 ,  细谷拓己

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据该方法，槽结构的栅极绝缘膜不会受到形成发射极层等时的砷离子的损伤，并且能够低成本地制造提高了栅极绝缘膜的绝缘耐压的半导体装置。在高温炉等中使埋入槽(3)内而形成的由多晶硅构成的栅极电极(5)热氧化，以在栅极电极(5)上形成厚的多晶硅热氧化膜(6)。此后，离子注入杂质离子以形成成为发射极层等的N型半导体层(8)。在该情况下，将多晶硅热氧化膜(6)形成为膜厚度大于为了通过离子注入形成成为发射极层等的N型半导体层(8)而杂质离子在硅氧化膜中的平均射程。由此，防止杂质离子损伤夹在栅极电极(5)和N型半导体层(8)之间的栅极绝缘膜(4)。

公开(公告)号：CN102110602B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201010593405.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 松井俊和 ,  佐山康之 ,  江藤弘树 ,  细谷拓己

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据该方法，槽结构的栅极绝缘膜不会受到形成发射极层等时的砷离子的损伤，并且能够低成本地制造提高了栅极绝缘膜的绝缘耐压的半导体装置。在高温炉等中使埋入槽(3)内而形成的由多晶硅构成的栅极电极(5)热氧化，以在栅极电极(5)上形成厚的多晶硅热氧化膜(6)。此后，离子注入杂质离子以形成成为发射极层等的N型半导体层(8)。在该情况下，将多晶硅热氧化膜(6)形成为膜厚度大于为了通过离子注入形成成为发射极层等的N型半导体层(8)而杂质离子在硅氧化膜中的平均射程。由此，防止杂质离子损伤夹在栅极电极(5)和N型半导体层(8)之间的栅极绝缘膜(4)。