公开(公告)号：CN105143390B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法，该CMP浆料组成物包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量。该CMP浆料组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。

公开(公告)号：CN112384596B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及用于蚀刻半导体装置的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物或所述式2化合物的反应产物。式1或式2的R1、R2、R3、R6、R9至R12的定义与在本说明书中所述的定义相同。所述用于氮化硅层的蚀刻组成物可显著改善氮化硅层相对于氧化硅层的蚀刻选择性以及可防止在蚀刻期间和/或蚀刻之后使氧化硅层的厚度增加或使硅烷化合物通过自发反应沉淀。

公开(公告)号：CN112384596A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及使用其用于蚀刻氮化硅膜的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物和/或所述式2化合物的反应产物。

公开(公告)号：CN118853077A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410854026.6

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  金高恩 ,  金容国 ,  朴容淳

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明揭示一种用于有机膜的化学机械研磨浆料组合物及有机膜研磨方法。化学机械研磨浆料组合物包含超纯水、磨料、含四价铈离子的铈盐及氧化剂，其中氧化剂在酸性区中具有1.72电子伏特或高于1.72电子伏特的氧化电位，且化学机械研磨浆料组合物的pH值为1至7。化学机械研磨浆料组合物可在pH值为1或高于1下使四价铈离子(Ce4+)稳定且因此可展现出对有机膜的高研磨速率。因此，可通过使用化学机械研磨浆料组合物的研磨方法来简单地移除有机膜，尤其是通过自对准双重图案化技术而形成的有机膜。

公开(公告)号：CN108138030A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057069.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  金高恩 ,  金容国 ,  朴容淳

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明揭示一种用于有机膜的化学机械研磨浆料组合物及使用其的研磨方法。化学机械研磨浆料组合物包含超纯水、磨料、含四价铈离子的铈盐及氧化剂，其中氧化剂在酸性区中具有1.72电子伏特或高于1.72电子伏特的氧化电位，且化学机械研磨浆料组合物的pH值为1至7。化学机械研磨浆料组合物可在pH值为1或高于1下使四价铈离子(Ce4+)稳定且因此可展现出对有机膜的高研磨速率。因此，可通过使用化学机械研磨浆料组合物的研磨方法来简单地移除有机膜，尤其是通过自对准双重图案化技术而形成的有机膜。

公开(公告)号：CN105143390A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物，其包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量，且本发明涉及使用其的研磨方法。