公开(公告)号：CN111315836B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201880072308.3

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  郑荣哲 ,  金廷熙 ,  姜东宪

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了包含二氧化铈、含铈的二氧化铈活化剂和无机膜表面保护剂的有机膜CMP浆料组合物，以及使用其的有机膜抛光方法。

公开(公告)号：CN108138029B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。本发明的有机膜CMP浆料组成物具有有机膜相对于无机膜的高选择性比。

公开(公告)号：CN107922819B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201680047980.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 都均奉 ,  金东珍 ,  郑荣哲 ,  兪龙植 ,  崔正敏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明是有关于一种用于有机膜的化学机械研磨研浆组成物、其制备方法以及使用其的研磨有机膜的方法，化学机械研磨研浆组成物包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的化学机械研磨研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于化学机械研磨研浆中10小时之后所测量。方程式(1)：水接触角变化Δθw＝|θ1‑θ2|。

公开(公告)号：CN111315836A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072308.3

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  郑荣哲 ,  金廷熙 ,  姜东宪

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了包含二氧化铈、含铈的二氧化铈活化剂和无机膜表面保护剂的有机膜CMP浆料组合物，以及使用其的有机膜抛光方法。

公开(公告)号：CN106883767B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201611114783.1

申请日：2016-12-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李昭滢 ,  都均奉 ,  金东珍 ,  安江洙 ,  郑荣哲

IPC: H01L21/321 ,  C09G1/02

Abstract: 本申请公开了一种用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法，具体涉及用于抛光金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法。该CMP浆料组合物包含抛光颗粒、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂和去离子水，其中，腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：CN108138029A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。

公开(公告)号：CN107109192A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580061512.1

申请日：2015-12-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑正焕 ,  郑荣哲 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  卢锺一 ,  洪昌基

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  C23F3/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  H01L21/3212 ,  C09K3/1454 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种用于研磨铜的CMP浆料组合物。CMP浆料组合物包含：研磨粒子及去离子水，其中所述研磨粒子包含无机粒子及有机粒子，且无机粒子与有机粒子两者均具有正界达电位。

公开(公告)号：CN106883767A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611114783.1

申请日：2016-12-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李昭滢 ,  都均奉 ,  金东珍 ,  安江洙 ,  郑荣哲

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  B24B37/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  C23F11/04 ,  H01L21/3212 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00

Abstract: 本申请公开了一种用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法，具体涉及用于抛光金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法。该CMP浆料组合物包含抛光颗粒、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂和去离子水，其中，腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：CN107922819A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047980.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 都均奉 ,  金东珍 ,  郑荣哲 ,  兪龙植 ,  崔正敏

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明是有关于一种有机膜的CMP研浆，包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的CMP研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθw，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于CMP研浆中10小时之后所测量。