公开(公告)号：CN111739927B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202010186965.X

申请日：2020-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜声珉 ,  金炅泯 ,  金荣睦 ,  禹珉希

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层；在所述衬底中形成隔离区域，以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离；蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面；形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层；去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层；在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层；以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。

公开(公告)号：CN107086248A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。

公开(公告)号：CN107086248B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。

公开(公告)号：CN111725294A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911296982.2

申请日：2019-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李演光 ,  姜声珉 ,  金敬珉 ,  禹珉希 ,  姜俊求 ,  金荣睦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。

公开(公告)号：CN102064194A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010515597.5

申请日：2010-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣睦 ,  郑用相 ,  李泰喆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1037 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供了凹陷沟道晶体管装置、包括其的显示设备及其制造方法，即凹陷沟道晶体管(RCT)装置、制造该RCT装置的方法以及包括该RCT装置的显示设备。RCT装置包括：基底，第一沟槽在第一基底中且具有第一宽度；第一栅极绝缘层，在第一沟槽的内壁上；第一凹陷栅极，在第一栅极绝缘层上，且在第一凹陷栅极的上表面的中心部分中具有凹槽；源极和漏极，在基底中并在第一凹陷栅极的两侧上。

公开(公告)号：CN111725294B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911296982.2

申请日：2019-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李演光 ,  姜声珉 ,  金敬珉 ,  禹珉希 ,  姜俊求 ,  金荣睦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。

公开(公告)号：CN115831967A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211114567.2

申请日：2022-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣睦 ,  姜炅龙 ,  姜俊求 ,  郑用相

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：基板，在其上限定第一区域和第二区域；在第一区域中的第一有源区；从第一有源区突出的有源图案；在第二区域中的第二有源区；在有源图案上的第一栅电极；在第二有源区上的第二栅电极；在有源图案和第一栅电极之间的第一栅极绝缘层，包括第一‑第一绝缘层；在第二有源区和第二栅电极之间的第二栅极绝缘层，包括第二‑第一绝缘层和在第二‑第一绝缘层下面的第二‑第二绝缘层，其中在垂直方向上与有源图案重叠的第一栅电极在垂直方向上的厚度等于在垂直方向上与第二有源区重叠的第二栅电极在垂直方向上的厚度，第一栅电极的上表面形成在与第二栅电极的上表面相同的水平处。

公开(公告)号：CN111739927A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010186965.X

申请日：2020-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜声珉 ,  金炅泯 ,  金荣睦 ,  禹珉希

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层；在所述衬底中形成隔离区域，以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离；蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面；形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层；去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层；在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层；以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。

公开(公告)号：CN111682009A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201910997727.4

申请日：2019-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹珉希 ,  姜声珉 ,  姜俊求 ,  高升希 ,  金荣睦

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路(IC)芯片包括在穿过基板和器件层的通孔内延伸的过孔接触插塞、围绕过孔接触插塞的通孔接触衬层、沿基板的底面延伸的连接焊盘衬层、一体连接到过孔接触插塞的虚设凸块结构以及连接到连接焊盘衬层的凸块结构。一种制造IC芯片的方法包括：在通孔内部和外部形成凸块下金属(UBM)层；以及形成第一连接金属层、第二连接金属层和第三连接金属层。第一连接金属层覆盖通孔内的UBM层，第二连接金属层一体连接到第一连接金属层，并且第三连接金属层覆盖连接焊盘衬层上的UBM层。